工藝文章進(jìn)入工藝技術(shù)社區(qū)

展望2nm工藝的可持續(xù)性

隨著半導(dǎo)體制造復(fù)雜性的不斷增加，相關(guān)的排放量正在以驚人的速度增長(zhǎng)。TechInsights Manufacturing Carbon Module 數(shù)據(jù)顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產(chǎn) ~30 萬(wàn) MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對(duì)電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺(tái)灣的同等晶圓廠每年產(chǎn)生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細(xì)工藝可以大大減少每個(gè)晶體管的輻射。半導(dǎo)體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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英特爾突破關(guān)鍵制程技術(shù)：Intel 18A兩大核心技術(shù)解析

半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內(nèi)的所有芯片制造商們?cè)谖磥砟芊窳⒆鉇I和高性能計(jì)算時(shí)代的根本。年內(nèi)即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破，同時(shí)還肩負(fù)著讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導(dǎo)體制程技術(shù)創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破，會(huì)給出世界一個(gè)答案。攻克兩大技術(shù)突破實(shí)力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，是破除半
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英特爾澄清：Intel 18A制程產(chǎn)品將于今年下半年如期發(fā)布

據(jù)外媒報(bào)道，近日，英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在公開澄清了關(guān)于基于Intel 18A制程的首款產(chǎn)品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計(jì)劃于今年下半年發(fā)布，發(fā)布時(shí)間并未改變，且英特爾對(duì)于目前的進(jìn)展非常有信心。報(bào)道中稱，John Pitzer表示當(dāng)前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。幾周前有技術(shù)論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現(xiàn)已與臺(tái)積電N2工藝相當(dāng)。“雖然技術(shù)比較存在多
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三星 SF4X 工藝獲 IP 生態(tài)支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互聯(lián) PHY

1 月 22 日消息，半導(dǎo)體互聯(lián) IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對(duì)裸晶互聯(lián) PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進(jìn)制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級(jí) 2.5D 和標(biāo)準(zhǔn) 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關(guān)，同時(shí)在面積和功耗表現(xiàn)上處于業(yè)界領(lǐng)先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應(yīng)用中接受硅特性分析。Blue Che
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高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：?jiǎn)魏似?4000 分，多核提升超 20%

11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績(jī)突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺(tái)積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展（Scalable Matrix Extensio
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半導(dǎo)體行業(yè)最高性能！Eliyan 推出芯粒互連 PHY：3nm 工藝、64Gbps / bump

IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國(guó)加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯?；ミB PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項(xiàng)技術(shù)不僅實(shí)現(xiàn)了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構(gòu)中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標(biāo)志著半導(dǎo)體互連領(lǐng)域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互連 PHY 是一種用于連接多個(gè)芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實(shí)現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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不再執(zhí)著制造工藝華為：以系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程建設(shè)消除芯片代差

多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應(yīng)只在單點(diǎn)的芯片工藝上，而是應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上，要用空間、帶寬、能源來?yè)Q取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報(bào)導(dǎo)，在今天的數(shù)據(jù)大會(huì)上，華為常務(wù)董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們?cè)谛酒系拇??！箯埰桨舱f，「在華為看來，AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數(shù)能結(jié)合?！乖谶@之
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臺(tái)積電高管張曉強(qiáng)：不在乎摩爾定律是死是活

近日，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)博士在接受采訪時(shí)被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡(jiǎn)單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動(dòng)工藝進(jìn)步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了?！痹趶垥詮?qiáng)看來，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)在于，每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝，為客戶改進(jìn)性能、功耗和面積（PPA）指標(biāo)進(jìn)。比如說最近十年來，蘋果一直是臺(tái)積電的頭號(hào)客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進(jìn)，正好反映了臺(tái)積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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Intel 3 “3nm 級(jí)”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級(jí)工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對(duì)的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺(tái)積電達(dá)成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

此前有報(bào)道稱，明年谷歌可能會(huì)改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺(tái)積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進(jìn)行過渡，谷歌將擴(kuò)大在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫(kù)信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺(tái)積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗(yàn)證。據(jù)Wccftech報(bào)道，谷歌與臺(tái)積電已達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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全新芯片技術(shù)亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)有著廣泛的應(yīng)用前景：“CPU 是計(jì)算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務(wù)，這一點(diǎn)需要改變。”該芯片技術(shù)涉及一個(gè)配套芯片，不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實(shí)時(shí)優(yōu)化處理任務(wù)
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新型存儲(chǔ)技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對(duì)外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級(jí)。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對(duì)性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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臺(tái)積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點(diǎn)的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級(jí)到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會(huì)像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進(jìn)的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)演講的一部分，臺(tái)積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺(tái)積電計(jì)劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項(xiàng)任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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臺(tái)積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

幾個(gè)月前，臺(tái)積電發(fā)布了 2023 年年報(bào)，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_(tái)積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺(tái)積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺(tái)積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(zhǎng)的路要走，很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來五年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 Angstrom 14 1.4納米工藝