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工藝 文章 進(jìn)入工藝技術(shù)社區(qū)
國(guó)內(nèi)公司沖擊最尖端半導(dǎo)體工藝 10/7nm進(jìn)度喜人

- 國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際今天下午發(fā)布Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收6.7億美元,同比下滑19.5%,凈利潤(rùn)1227萬美元,同比下滑58%,不過中芯國(guó)際表示FinFET工藝研發(fā)進(jìn)展順利,12nm工藝進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,下一代FinFET工藝研發(fā)進(jìn)度喜人——雖然沒有明確下一代工藝具體是什么,但中芯國(guó)際的表態(tài)意味著國(guó)產(chǎn)10nm或者7nm工藝研發(fā)進(jìn)度還是很不錯(cuò)的。
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 7nm 工藝
7nm+/6nm/5nm隨便選 AMD面臨幸福的煩惱

- 曾經(jīng),先進(jìn)的制造工藝是Intel狠狠壓制AMD乃至整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)大殺器,但現(xiàn)在完全反了過來。Intel 14nm工藝遭遇前所未有危機(jī),至今未能量產(chǎn),而臺(tái)積電、三星一路狂奔,10nm、7nm、5nm相繼上馬。雖然不同家的工藝技術(shù)不能完全看一個(gè)單純的數(shù)字,但不得不承認(rèn)Intel確實(shí)被越甩越遠(yuǎn)?! lobalFoundries放棄7nm、5nm先進(jìn)工藝研發(fā)后,AMD轉(zhuǎn)向了臺(tái)積電,這次算是傍上了大樹,接下來的從桌面到服務(wù)器再到筆記本,從處理器到顯卡,統(tǒng)統(tǒng)都是臺(tái)積電7nm?! ?nm之后,臺(tái)積電更是還有7n
- 關(guān)鍵字: AMD TSMC 工藝
芯片設(shè)計(jì)企業(yè)該如何選擇適合的工藝?

- 如何向芯片設(shè)計(jì)企業(yè)推薦最合適的工藝,芯片設(shè)計(jì)企業(yè)應(yīng)該怎么權(quán)衡?不久前,在珠海舉行的“2018中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)(ICCAD)”期間, 芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法。 圖 從左至右:Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司總裁王琦博士、芯原微電子創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士、UMC(和艦)公司副總經(jīng)理林偉圣 先進(jìn)工藝選擇的考量 芯原微電子創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士稱,28 nm以前一切是很好的、沒有爭(zhēng)
- 關(guān)鍵字: 芯片 工藝
華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)
- 特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì),對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。 第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-A
- 關(guān)鍵字: 0.18 BCD 工藝
莫大康:芯片制造業(yè)要具特色及相對(duì)集中
- 誠(chéng)然現(xiàn)階段中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展,可能并非存在哪種模式下一定優(yōu)越,正是百花齊放的好時(shí)代。但是對(duì)于它的風(fēng)險(xiǎn)性可能尚缺乏足夠的重視與認(rèn)識(shí)。因?yàn)榘雽?dǎo)體業(yè)有許多獨(dú)特的規(guī)律,其中生產(chǎn)線太分散,不但造成互相爭(zhēng)搶人材,力量不能集中,同時(shí)未來要保證生產(chǎn)線的連續(xù)運(yùn)行是十分困難的。因?yàn)槲覀儫o法與如三星、臺(tái)積電、英特爾等大牌廠商相比擬,它們的單條生產(chǎn)線規(guī)模大,訂單穩(wěn)定,設(shè)備廠可以從它的提供服務(wù)中獲得收益?! ?莫大康 2018年8月27日 半導(dǎo)體業(yè)的最大特征有兩條:一個(gè)是摩爾定律,每?jī)赡旯に囍瞥糖斑M(jìn)一個(gè)臺(tái)階,基本上同樣工藝
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半導(dǎo)體術(shù)語中英文對(duì)照表,趕緊get起來
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為一個(gè)起源于國(guó)外的技術(shù),很多相關(guān)的技術(shù)術(shù)語都是用英文表述。且由于很多從業(yè)者都有海外經(jīng)歷,或者他們習(xí)慣于用英文表述相關(guān)的工藝和技術(shù)節(jié)點(diǎn),那就導(dǎo)致很多的英文術(shù)語被翻譯為中文之后,很多人不能對(duì)照得上,或者不知道怎么翻譯。在這里我們整理一些常用的半導(dǎo)體術(shù)語的中英文版本,希望對(duì)大家有所幫助。如果當(dāng)中有出錯(cuò),請(qǐng)幫忙糾正,謝謝! 常用半導(dǎo)體中英對(duì)照表 離子注入機(jī) ion implanter LSS理論 Lindhand Scharff and Schiott theory,又稱“林漢德-斯卡夫-斯
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體,工藝
格芯稱在配合反壟斷調(diào)查 晶圓代工市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)加劇
- 近日路透社報(bào)道稱,晶圓代工廠格芯(原格羅方德GlobalFoundries)指控晶圓代工龍頭臺(tái)積電涉有不公平的競(jìng)爭(zhēng)行為,并向歐盟執(zhí)委會(huì)的反壟斷機(jī)關(guān)要求調(diào)查一事。 報(bào)道指出,格芯對(duì)臺(tái)積電的指控包括以忠誠(chéng)折扣、排他性條款或罰款等方式威脅客戶,這嚴(yán)重影響到包括格芯在內(nèi)的其他行業(yè)參與者的競(jìng)爭(zhēng)力,格芯要求歐盟官方應(yīng)注意到少數(shù)幾家業(yè)內(nèi)參與者獨(dú)霸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)象。 針對(duì)上述消息,格芯發(fā)言人向第一財(cái)經(jīng)記者表示,“格芯并未主動(dòng)向歐盟提起投訴,而是在全面配合歐盟的反壟斷調(diào)查。”
- 關(guān)鍵字: 晶圓 工藝
VLSI國(guó)際會(huì)議中國(guó)僅一篇論文入選,占比1/64

- IBM昨天聯(lián)合三星、Globalfoundries宣布了全球首個(gè)5nm半導(dǎo)體工藝,性能提升40%,功耗降低75%。IBM這則消息就是在VLSI大規(guī)模集成電路會(huì)議上宣布的,這也是國(guó)際級(jí)的半導(dǎo)體會(huì)議。這次會(huì)議也暴露了我們?cè)诎雽?dǎo)體制造技術(shù)依然沒有什么存在感,雖然總計(jì)提交了18篇論文,但入選的只有1篇,僅占全部入選論文的1/64,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于美國(guó)、日本、歐洲、韓國(guó)、新加坡及臺(tái)灣地區(qū)。 2017年的VLSI國(guó)際會(huì)議是在日本東京舉行的,昨天正式開幕,會(huì)期8天,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)公司、科研機(jī)構(gòu)匯聚一堂討論未來技
- 關(guān)鍵字: VLSI 工藝
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