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工藝 文章 最新資訊

華潤上華于上海舉辦首場BCD系列工藝技術(shù)論壇

  • 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)旗下華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇,主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會協(xié)辦,是該協(xié)會首次與企業(yè)合作舉辦論壇,也是華潤上華舉辦的第一場針對某個工藝的小型專題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計100余位來自模擬IC設(shè)計公司的聽眾。
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傳感器制造工藝的分類和介紹

  • 傳感器的發(fā)展和傳感器制造的工藝有著密切的聯(lián)系,在近現(xiàn)代的科技發(fā)展中,制造工藝的進(jìn)步也促進(jìn)了傳感器制造業(yè)的進(jìn)步。傳感器在近現(xiàn)代主要的制造工藝有四種,分別是集成傳感器、薄膜傳感器、厚膜傳感器和陶瓷傳感器。
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波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點

  • 刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法,分別為干法刻蝕和濕法刻蝕,它們各有優(yōu)缺點。但對于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來說,干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對于SOl波導(dǎo)
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波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點

  • 對于SOl波導(dǎo)來說,CVD技術(shù)一般用來淀積其上包層,通常為二氧化硅或氮化硅。對于調(diào)制器等有源器件來說,這一層還起著隔離金屬電極減小電極對波導(dǎo)造成損耗的作用,所以厚度一定要選擇合適,不能太薄,如果薄了就不能起
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硅襯底LED芯片制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù),美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此,研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國
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解析變壓器繞制工藝

  • 標(biāo)簽:變壓器變壓器 bian ya qi利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的裝置,主要構(gòu)件是初級線圈、次級線圈和鐵心(磁芯)。在電器設(shè)備和無線電路中,常用作升降電壓、匹配阻抗,安全隔離等。變壓器的最基本型式,包括兩組
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40V高壓液晶顯示驅(qū)動芯片工藝的開發(fā)

  • 隨著液晶面板的興起以及越來越大的尺寸,高壓LCD驅(qū)動日漸受到市場的關(guān)注,但高電壓(40V以上)工藝在中國基本還處于空白。本文著重介紹40V高壓工藝平臺所面臨的主要問題和關(guān)鍵工藝:銻注入,外延生長之后的光刻對準(zhǔn)和非
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基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計

  • 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對其各單元組成電路的設(shè)計進(jìn)行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸齒波
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1 概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC),它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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基于實例的智能工藝設(shè)計系統(tǒng)介紹

  • 1 引言  作為連接設(shè)計和制造的橋梁和紐帶,CAPP不僅是制造企業(yè)準(zhǔn)備工作的首要步驟,而且是企業(yè)各部門信急交匯的重要環(huán)節(jié)。由于CAPP在CIMS中的地位和作用,工藝規(guī)劃的自動生成(也即智能工藝設(shè)計)被視為生產(chǎn)自動化中
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采用CSMC工藝的零延時緩沖器的PLL設(shè)計

  • 1 引言  本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),設(shè)計了一款用于多路輸出時鐘緩沖器中的鎖相環(huán),其主 要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小時
  • 關(guān)鍵字: CSMC  PLL  工藝  零延時    

硅襯底LED芯片簡介及主要制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù),美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此,研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國
  • 關(guān)鍵字: 工藝  分析  制造  主要  芯片  簡介  LED  

安森美推出High-Q IPD工藝設(shè)計套件

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)宣布提供針對公司High-Q?集成無源器件(IPD)工藝的完整從前到后工序工藝設(shè)計套件(PDK)。這PDK開發(fā)是為了配合安捷倫科技的先進(jìn)設(shè)計系統(tǒng)(ADS) 2011電子設(shè)計輔助(EDA)軟件一起使用,使安森美半導(dǎo)體及安捷倫科技的客戶能夠充分利用業(yè)界最全面射頻(RF)及微波設(shè)計平臺的優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字: 安森美  無源器件  工藝  

新型霓虹燈的制作工藝

  • 每逢夜幕降臨,街市上華燈初亮,而獨樹一枝的五彩霓虹燈顯得格外亮麗醒目,它將賓館、大廈、商場及娛樂城裝飾得多姿多彩。然而這種傳統(tǒng)的霓虹燈制作工藝復(fù)雜,造價成本高、耗電驚人,維修難又容易遭破損等問題。新型
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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

  • 摘要:為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
  • 關(guān)鍵字: 輸出  緩沖  電路設(shè)計  芯片  數(shù)字  工藝  多功能  CMOS  
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工藝介紹

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