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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 工藝

淺談項目教學(xué)在電子工藝實訓(xùn)環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

  • 　SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實訓(xùn)》課程的一個重要項目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門課程的特點,我們在電子實訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實訓(xùn)室參與項目教學(xué)
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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0．6μm CMOS工藝全差分運算 放大器的設(shè)計

  • 0 引言
    運算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分，如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計中，速度和精度是兩個重要因素，而這兩方面的因素都是由運放的各種性能來決定的。
    本文設(shè)計的帶共模反饋的兩級高增益運
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基于0．5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計

  • 針對DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下，實現(xiàn)了閾值點電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設(shè)計，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明所設(shè)計的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點。
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國產(chǎn)設(shè)備必須走自主創(chuàng)新之路

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)的技術(shù)提升及創(chuàng)新要從研究材料入手，從源頭上達(dá)到國際先進(jìn)水平。在工業(yè)制備方面要加強新型工藝的開發(fā)和應(yīng)用。我國半導(dǎo)體設(shè)備性能、控制已達(dá)到國際高端水平，但穩(wěn)定性還待提升。另外，需要做高端設(shè)備工藝方面的提升和研究。 　　蘭州瑞德自主開發(fā)的產(chǎn)品涉及多行業(yè)、多領(lǐng)域，在國際金融危機期間，遇到的問題主要在工藝應(yīng)用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面，公司根據(jù)各行業(yè)特點，公司采取新品上市、設(shè)備改制、設(shè)備派生等手段，使研、切、拋電子專用設(shè)備進(jìn)入各行業(yè)的速度加快了，尤其是視窗、光學(xué)等行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)仍主打高端設(shè)
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

  • 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
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采用SiGe工藝的GPS接收機設(shè)計(一)

  • 基于美國聯(lián)邦通訊委員會(FCC)的E911定向和定位業(yè)務(wù)(LBS)，期望緊跟這一標(biāo)準(zhǔn)的全球定位系統(tǒng)(GPS)接收機隨時準(zhǔn)備在無線通信中扮演一個至關(guān)重要的角色。成功的E911/LBS產(chǎn)品與業(yè)務(wù)將會需要具有以下特征的解決方案：能在移
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多晶硅企業(yè)命系裝備和技術(shù)

  • 　　從現(xiàn)有市場行情來看，國內(nèi)多晶硅價格下跌的趨勢將難以改變。國內(nèi)可將生產(chǎn)成本壓低到50美元/公斤以下的多晶硅企業(yè)，幾乎是鳳毛麟角。 　　森松集團(tuán)(中國)(下稱“森松”)董事總經(jīng)理薛絳穎接受記者專訪時表示，目前中國的多晶硅設(shè)備制造已較為成熟。而國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)商的管理、技術(shù)及工藝都有待提高，這樣才能有效控制成本。 　　裝備技術(shù)尤為關(guān)鍵。以森松集團(tuán)為例，作為國內(nèi)最大的多晶硅工藝成套設(shè)備供應(yīng)商，約有80%的國內(nèi)多晶硅廠，都使用其成套設(shè)備如還原爐以及相關(guān)技術(shù)。 　　該公司生產(chǎn)的還原爐要
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我國大規(guī)模集成電路制造重大專項進(jìn)入實施階段

  • 　　新華網(wǎng)北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項進(jìn)入全面實施階段? 　　據(jù)介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的成套先進(jìn)工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進(jìn)口的狀況,帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升和結(jié)構(gòu)調(diào)整? 　　重大專項是實現(xiàn)我國中長期科技發(fā)展規(guī)劃的一項重要內(nèi)容,黨中央?國務(wù)院高度重視重大專項的實施工作,多次召開
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怎樣可以降低RFID應(yīng)答器設(shè)計中的功耗

  • 應(yīng)答器設(shè)計的成本依賴于幾個因素，而不僅僅是硅的成本。事實上，芯片制造工藝的成本(就其復(fù)雜性和成熟程度...
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基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計

  • 壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機也有了新的發(fā)展趨勢，即單個收發(fā)機要實現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋，例如用于移動數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個標(biāo)準(zhǔn)，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實現(xiàn)低功耗設(shè)計，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。

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基于CMOS工藝的數(shù)字步進(jìn)衰減器的設(shè)計

  • 本文基于Peregrine(派更)半導(dǎo)體公司的單片數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產(chǎn)品系列，闡述了DSA通用設(shè)計方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
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制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

  • IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡單和更省時間的途徑，由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
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評中芯國際與IBM簽訂45納米技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議

  •     資深評論人 莫大康     按國際工藝路線圖指引,全球半導(dǎo)體07年才進(jìn)入45納米制程。其中英特爾首先采用高k及金屬柵工藝,將CMOS工藝推向一個新的里程碑。連戈登摩爾也坦誠,由此將定律可延伸又一個10年。     此次中芯國際能成功與國際最先進(jìn)的技術(shù)輸出者,IBM達(dá)成45納米的技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議意義十分深遠(yuǎn)。     首先表征中芯國際愿意繼續(xù)追趕國際最先進(jìn)工藝水平,加入全球最先進(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 45納米  中芯國際  IBM  工藝  
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