工藝 文章 進(jìn)入工藝技術(shù)社區(qū)
45nm用或不用都是個(gè)問題
- 與其說45nm剛剛走到我們面前，不如說我們已經(jīng)可以準(zhǔn)備迎接32nm工藝時(shí)代，因?yàn)閾?jù)三星存儲合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無疑，我們只不過在Intel強(qiáng)大的宣傳攻勢下，認(rèn)為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者，但也許再向下Intel也會(huì)感到有些力不從心。 當(dāng)然，我們今天討論的重點(diǎn)不是誰的制程工藝更先進(jìn)，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準(zhǔn)確的說是要不要采用的問題。 從技術(shù)的角度來說，45
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二線晶圓廠先進(jìn)工藝紛向一線大廠看齊 將打破工藝分水嶺局勢
- 近期全球二線晶圓廠紛搶進(jìn)0.13微米以下先進(jìn)工藝，包括馬來西亞晶圓代工廠Silterra、以色列晶圓廠寶塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)分別宣布 ，計(jì)劃以募資、借貸方式來擴(kuò)充先進(jìn)工藝產(chǎn)能，未來隨著二線晶圓廠紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進(jìn)工藝，不僅恐造成先進(jìn)工藝價(jià)格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線晶圓廠獨(dú)霸天下，甚至得重新改寫“先進(jìn)工藝”定義。 目前90納米、0.13微米工藝由臺灣晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電稱霸，其中，臺積電90納米、0.13微米工藝各占營收比重達(dá)2
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠 工藝 其他IC 制程
微電子工藝專有名詞（3）
- 101 LATCH UP 栓鎖效應(yīng) 當(dāng)VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來愈嚴(yán)重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內(nèi)CMOS中形成兩個(gè)雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個(gè)垂直的P+-N-P與一個(gè)水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時(shí)，將造成兩個(gè)晶體管互相
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微電子工藝專有名詞（4）
- 151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對準(zhǔn)及印刷（Align & Print）過程中站著相當(dāng)重要的地位，尤其演進(jìn)到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對光學(xué)系統(tǒng)（如對準(zhǔn)機(jī)、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等）好壞的評估標(biāo)準(zhǔn)之一，現(xiàn)今多以法國人雷萊（Rayleigh）所制定的標(biāo)準(zhǔn)遵循之。物面上兩光點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)頭于成像面上不會(huì)模糊到只被看成一點(diǎn)時(shí)，物面上兩點(diǎn)間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時(shí)，例如對準(zhǔn)機(jī)對焦不清時(shí)，就會(huì)造成C
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微電子工藝專有名詞（1）
- 1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)） 主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長0.6UM之場區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之
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微電子工藝專有名詞（2）
- 51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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臺積電呼吁開放工藝以抗衡英特爾
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道，針對英特爾公司在中國的芯片工廠獲得批準(zhǔn)的傳言，全球第一大芯片代工巨頭臺積電公司的董事長張忠謀日前對媒體表示，臺灣地區(qū)行政機(jī)構(gòu)應(yīng)該加速對大陸地區(qū)開放半導(dǎo)體先進(jìn)工藝，否則臺灣廠商在內(nèi)地將處于落后境地。 去年年底，臺灣行政機(jī)構(gòu)剛剛批準(zhǔn)了島內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)向大陸地區(qū)輸出0.18微米線寬的8英寸芯片生產(chǎn)工藝。 英特爾公司目前沒有對在中國的芯片工廠進(jìn)行證實(shí)，根據(jù)傳言，這座芯片廠將采用90納米工藝，位于中國北方的大連。90納米工藝已經(jīng)比臺灣廠商獲準(zhǔn)在大陸使用的180納米工藝(即0.18微
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP
- ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
- 關(guān)鍵字： 90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲器 單片機(jī) 工藝 接口 納米 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
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