基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

1. 引言

對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，FPGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過(guò)不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口存儲(chǔ)器，只讀存儲(chǔ)器，F(xiàn)IFO,大的查找表或移位寄存器，每種應(yīng)用都支持不同的數(shù)據(jù)寬度和高度。
在本文中我們設(shè)計(jì)的嵌入式存儲(chǔ)器是一個(gè)可配置的同步16Kb模塊。如圖1所示，每個(gè)存儲(chǔ)器模塊有兩個(gè)獨(dú)立的端口，它們的結(jié)構(gòu)和工作模式完全對(duì)稱(chēng)，并且支持雙端口工作模式。每個(gè)端口都有自己的時(shí)鐘信號(hào)，時(shí)鐘使能信號(hào)，寫(xiě)信號(hào)。雖然對(duì)每個(gè)端口的操作是完全同步且獨(dú)立于另一個(gè)端口的，但是可以通過(guò)外面的電路連接擴(kuò)展數(shù)據(jù)位寬或地址寬度。當(dāng)寫(xiě)允許信號(hào)WEN為低，EN為高時(shí)，存儲(chǔ)器模塊讀取地址確定的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，當(dāng)WEN和EN同時(shí)為高時(shí)，輸入總線上的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入存儲(chǔ)單元。在存儲(chǔ)器模塊被用于流水線邏輯中的情況下，根據(jù)數(shù)據(jù)路徑邏輯獲取存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)時(shí)不同的需要，每個(gè)存儲(chǔ)器模塊的寫(xiě)數(shù)據(jù)過(guò)程可以配置成三種工作模式。根據(jù)不同的配置，輸出數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)可以隨輸入數(shù)據(jù)同時(shí)更新，或者一個(gè)時(shí)鐘周期后更新，或者保持不變。
每個(gè)存儲(chǔ)器模塊都支持多種配置方式，可以配置成以下各種工作模式：16Kx1, 8Kx2, 4Kx4, 2Kx8, 1Kx16 and 512x32。一個(gè)可重構(gòu)的正交開(kāi)關(guān)矩陣用于連接輸入/輸出與外部數(shù)據(jù)總線。存儲(chǔ)器模塊可以配置成只讀存儲(chǔ)器。只讀存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)在配置過(guò)程通過(guò)第三個(gè)端口確定，也即下面講到的存儲(chǔ)單元的C端口。在配置過(guò)程，該配置端口支持讀寫(xiě)操作。
一種全新的存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)方法以及實(shí)現(xiàn)各種配置的電路設(shè)計(jì)方法將會(huì)重點(diǎn)介紹。最后將給出Nanosim的仿真結(jié)果。

圖1. 存儲(chǔ)器模塊 圖2 三端口存儲(chǔ)單元

2. 存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)

2.1 存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)
當(dāng)存儲(chǔ)器模塊配置為只讀存儲(chǔ)器時(shí)，只讀存儲(chǔ)器的內(nèi)容必須要在FPGA的配置過(guò)程予以定義，在有些情況下還需要對(duì)存儲(chǔ)器模塊的內(nèi)容予以初始化，所以存儲(chǔ)單元需要提供一個(gè)端口專(zhuān)門(mén)用于存儲(chǔ)器內(nèi)容的定義或初始化。我們的存儲(chǔ)單元采用的是一個(gè)三端口的結(jié)構(gòu)，其中兩個(gè)端口用于片上邏輯，第三個(gè)端口用于片外邏輯。片外即第三個(gè)端口用于只讀存儲(chǔ)器或查找表的內(nèi)容定義或靜態(tài)存儲(chǔ)器的內(nèi)容初始化，也可用于存儲(chǔ)器測(cè)試中的驗(yàn)證。如圖2所示，存儲(chǔ)單元實(shí)際上是一對(duì)交叉耦合的反相器，通過(guò)三對(duì)NMOS與三個(gè)端的位線（bitline）連接，三個(gè)端的字線分別控制各端的NMOS導(dǎo)通與否。A,B端用于片上邏輯的讀寫(xiě)操作，而C端作為配置端只在配置過(guò)程中應(yīng)用。A,B兩端口的位線為垂直走向，字線為水平走向，而配置端C端恰好相反，其位線為水平走向，字線為垂直走向，原因在于在FPGA的配置過(guò)程中 ，配置數(shù)據(jù)按列送入FPGA[4][5]。這種存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)同時(shí)滿(mǎn)足了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器模塊的片外配置功能和片上功能的需要。
2.2 位線結(jié)構(gòu)
A,B兩端口的位線結(jié)構(gòu)用于正常的讀寫(xiě)操作，下圖3給出了此位線結(jié)構(gòu)。一列存儲(chǔ)單元（256個(gè)）共用一對(duì)位線，它們?cè)谧x/寫(xiě)過(guò)程的開(kāi)始前被預(yù)充電至vdd，然后被選中的存儲(chǔ)單元驅(qū)動(dòng)（讀過(guò)程）或被輸入緩沖器驅(qū)動(dòng)（寫(xiě)過(guò)程）。在讀過(guò)程中靈敏放大器被其使能信號(hào)觸發(fā)以放大位線上的差分信號(hào)，然后其單輸出數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)緩沖器被驅(qū)動(dòng)經(jīng)過(guò)列選擇器，再經(jīng)過(guò)總線選擇開(kāi)關(guān)矩陣，最后到達(dá)輸出數(shù)據(jù)總線。靈敏放大器用于將小信號(hào)的差分輸入（位線電壓）放大為大信號(hào)的單端輸出。如圖3.B所示我們采用了一種鎖存型靈敏放大器，它的兩個(gè)輸出經(jīng)過(guò)一個(gè)改進(jìn)緩沖器以單端輸出，這種靈敏放大器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，建立時(shí)間短，有效地縮短了存儲(chǔ)器的讀取時(shí)間，提高了性能[1],[2]。

2.3 配置電路的設(shè)計(jì)
如前所述，存儲(chǔ)器模塊可以配置成以下存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)：16Kx1, 8Kx2, 4Kx4, 2Kx8, 1Kx16 以及512x32,配置電路就是能夠?qū)崿F(xiàn)這些配置的邏輯。組成配置電路的就是上面提到的列選擇器和總線選擇開(kāi)關(guān)矩陣。通過(guò)對(duì)列選擇器和總線選擇開(kāi)關(guān)矩陣的配置，可以實(shí)現(xiàn)以上各種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，以及讀過(guò)程中的三種輸出模式。