- 隨著半導體制造復雜性的不斷增加，相關的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module 數據顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產 ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
- 關鍵字：
2nm 工藝
- 半導體芯片制程技術的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關鍵制程技術突破，同時還肩負著讓英特爾重回技術創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術與PowerVia背面供電技術兩大關鍵技術突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術突破 實力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術，是破除半
- 關鍵字：
英特爾 EDA 工藝
- 據外媒報道，近日，英特爾投資者關系副總裁John Pitzer在公開澄清了關于基于Intel 18A制程的首款產品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發(fā)布，發(fā)布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發(fā)階段的表現還要略勝一籌。幾周前有技術論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現已與臺積電N2工藝相當?！半m然技術比較存在多
- 關鍵字：
英特爾 芯片支撐 工藝
- 1 月 22 日消息，半導體互聯 IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國加州當地時間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯 PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關，同時在面積和功耗表現上處于業(yè)界領先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
- 關鍵字：
三星 SF4X 工藝 Blue Cheetah 流片 D2D 互聯 PHY
- 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
- 關鍵字：
高通 驍龍 單核 多核 三星 SF2 代工 臺積電的 N3P 工藝
- IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯?；ミB PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術不僅實現了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標志著半導體互連領域的一次重大突破。IT之家注：芯?；ミB PHY 是一種用于連接多個芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實現高帶寬、低延遲和低功耗的數據傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
- 關鍵字：
芯片 芯片設計 工藝
- 多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設計和工程建設能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應只在單點的芯片工藝上，而是應該在系統(tǒng)架構上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據《快科技》報導，在今天的數據大會上，華為常務董事張平安就芯片技術發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設計和工程建設可以解決我們整體數字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差?！箯埰桨舱f，「在華為看來，AI數據中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數能結合?！乖谶@之
- 關鍵字：
工藝 華為 系統(tǒng)設計 芯片代差
- 近日，臺積電業(yè)務發(fā)展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了?！痹趶垥詮娍磥恚_積電的優(yōu)勢在于，每年都能投產一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
- 關鍵字：
臺積電 摩爾定律 工藝
- 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節(jié)點的一些額外細節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節(jié)點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發(fā)展。英特爾代工技術開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
- 關鍵字：
Intel 3 3nm 工藝
- 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
- 關鍵字：
谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
- IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認為這項技術有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變?！痹撔酒夹g涉及一個配套芯片，不產生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優(yōu)化處理任務
- 關鍵字：
CPU 工藝 荷蘭
- 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時寫入速度是NAND的1000倍數?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
- 關鍵字：
存儲 工藝 三星
- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
- 關鍵字：
臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進行原型試產，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
- 關鍵字：
三星 AI Mach-1 原型試產 4nm 工藝
- 幾個月前，臺積電發(fā)布了 2023
年年報，但顯然，文件中包含的關鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談談臺積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術革命的
A14。臺積電宣布，該公司終于進入了"Angstrom 14 時代"，開始開發(fā)其最先進的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點之后出現，這意味著你可以預期它至少會在未來五年甚至更長的時間內出現。著
- 關鍵字：
臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
工藝介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條工藝!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對工藝的理解，并與今后在此搜索工藝的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
