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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DDR4 DRAM 存儲(chǔ) |2025-07-11
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 內(nèi)存 DDR4 DRAM |2025-07-02
歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動(dòng)南亞科技的庫存暴利

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DDR4 DRAM 存儲(chǔ) |2025-06-24
適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

EDA/PCB DRAM 處理器 3D堆棧集成 |2025-06-24
臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫存緊張

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM 存儲(chǔ) 市場分析 |2025-06-18
DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

DDR4 DRAM 三星美光南亞科技華邦電子 HBM |2025-06-17
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

英特爾軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士 |2025-06-03
三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

三星 HBM LSI DRAM 半導(dǎo)體晶圓代工 |2025-05-29
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DDR5 DRAM |2025-05-29
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM |2025-05-14
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 三星 DRAM DDR4 |2025-05-12
撐不住, SK海力士DRAM漲12%

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) SK海力士 DRAM |2025-05-06
三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 三星電子 VCT DRAM |2025-04-29
高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 數(shù)據(jù)中心 DRAM |2025-04-11
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) SK海力士三星 DRAM |2025-04-10
美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士 |2025-04-07
下游客戶庫存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) TrendForce 集邦咨詢 DRAM |2025-03-26
美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 美光1γ DRAM |2025-03-04
新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 3D DRAM |2025-03-04
美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計(jì)算需求

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 美光 1γ DRAM DRAM |2025-02-27
消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 三星芯片 1b DRAM 樣品英偉達(dá) |2025-02-18
SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) SK海力士 1c納米 DRAM |2025-01-22
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

?三星 Galaxy S25 內(nèi)存美光 DRAM LPDDR5X |2025-01-07
買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-12-30
美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

EDA/PCB 美國美光科技生產(chǎn)芯片半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存芯片存儲(chǔ)芯片 |2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

電源與新能源泛林集團(tuán) DRAM |2024-11-21
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 北京君正 21nm DRAM |2024-11-14
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

EDA/PCB 郭明錤英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL |2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 鎧俠存儲(chǔ)技術(shù) DRAM MRAM 3D堆疊 |2024-10-24
HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) HBM DRAM TrendForce |2024-10-17
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計(jì)算 |2024-10-17
TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) TrendForce 內(nèi)存 DRAM |2024-08-30
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) SK海力士第六代 10納米級(jí) DDR5 DRAM |2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

EDA/PCB imec High-NA EUV DRAM |2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

手機(jī)與無線通信三星手機(jī)芯片 LPDDR5X DRAM |2024-08-07
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) HBM DRAM 美光 |2024-07-18
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 紫光國芯慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL |2024-07-11
內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) HBM 3D DRAM |2024-07-08

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