第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng)，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國(guó)際形勢(shì)等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。

觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價(jià)方面，三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢(shì)，加上臺(tái)灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM（高帶寬內(nèi)存）供不應(yīng)求、推動(dòng)DRAM買方轉(zhuǎn)為積極采購(gòu)，第二季合約價(jià)最終調(diào)漲13%至18%。

TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季Samsung受惠于平均銷售單價(jià)季增17%至19%，位元出貨量也小幅增加，帶動(dòng)DRAM營(yíng)收成長(zhǎng)至98.2億美元，季增22%，市場(chǎng)份額維持第一；SK hynix則因其HBM3e（第五代高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品通過(guò)認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，帶動(dòng)位元出貨季增超過(guò)20%，營(yíng)收大幅增加至79.1億美元，季增幅高達(dá)38.7%；Micron第二季的營(yíng)收較上季增加14.1%，為45億美元，雖然售價(jià)微幅下降，但位元出貨量季增達(dá)15%至16%，不過(guò)由于Micron第二季積極去化低價(jià)的1beta nm DDR5次品庫(kù)存，其整體表現(xiàn)落后兩大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

在各廠盈利部分，由于DRAM合約價(jià)上漲，原廠產(chǎn)能利用率已恢復(fù)滿載、認(rèn)列庫(kù)存跌價(jià)損失回轉(zhuǎn)，以及DDR5、HBM等高價(jià)產(chǎn)品出貨比重提升，各原廠第二季持續(xù)保持盈利。其中，Samsung營(yíng)益率自上季的22%增加至37%，SK hynix從33%增至45%，Micron則因?yàn)镠BM產(chǎn)品貢獻(xiàn)度較低，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率僅從6.9%回升至13.1%。

觀察其他廠商第二季表現(xiàn)，南亞科在Consumer DRAM的終端銷售動(dòng)能放緩，出貨量小幅下降，但因平均單價(jià)上揚(yáng)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率從-30.7%改善至-23.4%。華邦電因小幅調(diào)漲高容量產(chǎn)品合約價(jià)，平均銷售價(jià)格成長(zhǎng)24%至26%，加上高單價(jià)的低容量產(chǎn)品出貨比例高，推動(dòng)營(yíng)收季增3.7%，達(dá)1.68億美元。力積電若只計(jì)算其生產(chǎn)的Consumer DRAM營(yíng)收，第二季則季減約13.5%，但若加計(jì)代工營(yíng)收則季增2.2%，則反映出代工客戶積極儲(chǔ)備庫(kù)存。

第三季DRAM合約價(jià)上調(diào)，反映國(guó)際形勢(shì)變化

TrendForce集邦咨詢表示，多數(shù)DRAM原廠在2024年7月下旬和PC （個(gè)人電腦）OEMs（原始設(shè)備制造商）及CSPs（云端服務(wù)業(yè)者）商定第三季合約價(jià)，結(jié)果顯示漲幅皆高于預(yù)期。TrendForce集邦咨詢據(jù)此上調(diào)Conventional DRAM第三季合約價(jià)漲幅為8%至13%，較原預(yù)估值提高約5個(gè)百分點(diǎn)。
TrendForce集邦咨詢指出，自第二季開(kāi)始，中國(guó)CSPs積極備貨，采購(gòu)規(guī)模較去年同期翻倍，促使DRAM原廠提價(jià)。這種情況也讓其他業(yè)者不得不上調(diào)采購(gòu)價(jià)。而Server（服務(wù)器） DRAM價(jià)格漲幅上調(diào)，同樣有利于推動(dòng)PC DRAM合約價(jià)的商談氣氛。

此外，為趕在HBM3e產(chǎn)品通過(guò)驗(yàn)證后及時(shí)出貨，Samsung先已在工廠投片生產(chǎn)HBM3e晶圓，此舉將影響2024年下半年1alpha nm制程的DDR5排產(chǎn)。各原廠近期逐步完成2025年度的產(chǎn)能規(guī)劃，其中HBM生產(chǎn)比重較高的SK hynix及Samsung都將出現(xiàn)HBM3e影響DDR5的情況，預(yù)期未來(lái)幾季DRAM價(jià)格將難以回落。