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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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美光預(yù)計(jì)愛達(dá)荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財(cái)年投運(yùn)

IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達(dá)荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財(cái)年正式投運(yùn)：譯文：愛達(dá)荷州晶圓廠要到 2027 財(cái)年才會(huì)帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計(jì)要到 2028 財(cái)年或更晚才會(huì)帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價(jià)格15～20％。臺系內(nèi)存模塊大廠聞?dòng)嵎治?，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價(jià)行情，但合約價(jià)實(shí)際成交價(jià)格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價(jià)格，調(diào)
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HBM之后存儲器市場掀起新風(fēng)暴

AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時(shí)，存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動(dòng)存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計(jì)算提供強(qiáng)大支持，不過GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊美光傳大舉擴(kuò)產(chǎn)

在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動(dòng)市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴(kuò)大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時(shí)擴(kuò)大在臺中的產(chǎn)能。日本經(jīng)濟(jì)新聞20日報(bào)導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標(biāo)在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達(dá)到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴(kuò)大其愛達(dá)荷州博伊
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內(nèi)存市場將迎來「超級周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

HBM 商機(jī)稍縱即逝，需要抓緊時(shí)間。
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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中國臺灣AI關(guān)鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局

就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關(guān)鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運(yùn)算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構(gòu)穩(wěn)定運(yùn)算處理的要角，更是使用者體驗(yàn)?zāi)芊駜?yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準(zhǔn)備，準(zhǔn)備在這些領(lǐng)域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐中國臺灣IC設(shè)計(jì)有商機(jī)對整個(gè)AI運(yùn)算來說，最關(guān)鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強(qiáng)大的CPU與GPU技術(shù)供貨商，但在AI ASIC芯片設(shè)計(jì)服務(wù)與IP供應(yīng)方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領(lǐng)頭羊的先進(jìn)業(yè)者。在AI ASIC芯片設(shè)計(jì)方面，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣

6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達(dá)32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達(dá)60%，并配備四個(gè)獨(dú)立通道以優(yōu)化工作負(fù)載，從而實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)時(shí)間、更流暢的游戲體驗(yàn)和更短的處理時(shí)間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實(shí)現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機(jī)功耗降低高達(dá)70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線

據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會(huì)以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進(jìn)至21GHz，遠(yuǎn)超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計(jì)，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅(jiān)持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個(gè)架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個(gè)數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強(qiáng)的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì)上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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整合計(jì)算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計(jì)劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個(gè)新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計(jì)算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進(jìn)一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報(bào)道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計(jì)相關(guān) IP 朝著這個(gè)目標(biāo)邁進(jìn)。SK 海力士計(jì)劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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存儲龍頭計(jì)劃興建新工廠！

近期，日媒報(bào)道美光科技計(jì)劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計(jì)劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動(dòng)工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運(yùn)營。據(jù)悉，美光曾計(jì)劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時(shí)間表。近年日本積極出臺補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項(xiàng)目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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