內(nèi)存市場(chǎng)將迎來(lái)「超級(jí)周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

根據(jù)摩根士丹利的最新報(bào)告，全球內(nèi)存市場(chǎng)在 2025 年將迎來(lái)一次前所未有的供需失衡，這一現(xiàn)象主要由人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和過(guò)去兩年內(nèi)存行業(yè)資本支出不足所驅(qū)動(dòng)。

報(bào)告預(yù)計(jì)，2025 年 HBM（高帶寬內(nèi)存）的供應(yīng)不足率將達(dá)到-11%，而整個(gè) DRAM 市場(chǎng)的供應(yīng)不足率將高達(dá)-23%，特別是 HBM 的需求量預(yù)計(jì)將大幅增加，可能占總 DRAM 供應(yīng)的 30%。

這一供需失衡的情況預(yù)示著內(nèi)存價(jià)格的顯著上漲，報(bào)告中指出，商品存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格在 2024 年將以每季度兩位數(shù)的速度上漲，而 2025 年 HBM 的價(jià)格將更高，服務(wù)器 DRAM 和超高密度 QLC 固態(tài)硬盤將引領(lǐng)這一價(jià)格上漲趨勢(shì)。

內(nèi)存市場(chǎng)的這一「超級(jí)周期」將為行業(yè)內(nèi)的戰(zhàn)略地位公司如 SK 海力士和三星帶來(lái)市場(chǎng)份額的進(jìn)一步增長(zhǎng)。

摩根士丹利已將這兩家公司的 2024-2025 年的每股收益預(yù)測(cè)提高了 24%-82%，較最新的預(yù)期共識(shí)高出 51%-54%。

SK 海力士預(yù)計(jì)將在 2025 年占據(jù) HBM 市場(chǎng)的最大份額，其股票目標(biāo)價(jià)被提高 11% 至 30 萬(wàn)韓元，而三星電子的目標(biāo)價(jià)被提高至 10.5 萬(wàn)韓元。

內(nèi)存市場(chǎng)的這一輪超級(jí)周期與以往有所不同，由于當(dāng)前周期中行業(yè)的資本支出遠(yuǎn)低于維持產(chǎn)能所需的水平，自 2022 年第三季度以來(lái)產(chǎn)能一直在下降。

這種投資的缺乏正發(fā)生在內(nèi)存供應(yīng)鏈迅速轉(zhuǎn)移到 HBM 之際，HBM 的生產(chǎn)每比特所需的晶圓容量是普通 DRAM 的兩倍，其生產(chǎn)良率也較低，進(jìn)一步加劇了供需失衡的情況。

三大內(nèi)存廠加緊布局 HBM

SK 海力士公布了 HBM 發(fā)展路線圖，該公司副總裁 Kim Chun-hwan 透露，計(jì)劃在 2024 上半年量產(chǎn) HBM3e，并向客戶交付 8 層堆疊樣品，在 6 層堆棧 HBM3e 配置中，每層堆?？商峁?1.2 TB/s 的通信帶寬，8 層堆疊將進(jìn)一步提升 HBM 內(nèi)存的帶寬。

Kim Chun-hwan 表示，在不斷升級(jí)的客戶期望的推動(dòng)下，存儲(chǔ)行業(yè)正在面臨激烈的生存競(jìng)爭(zhēng)。隨著制程工藝節(jié)點(diǎn)的縮小接近極限，存儲(chǔ)器廠商越來(lái)越關(guān)注新一代存儲(chǔ)架構(gòu)和工藝，以給客戶應(yīng)用系統(tǒng)提供更高的性能。為此，SK 海力士已經(jīng)啟動(dòng)了 HBM4 的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃于 2025 年提供樣品，并于次年量產(chǎn)。

根據(jù)美光提供的信息，與前幾代 HBM 相比，HBM4 每層堆棧的理論峰值帶寬將超過(guò) 1.5 TB/s。為了實(shí)現(xiàn)這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時(shí)，HBM4 的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)大約 6GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星也有發(fā)展 HBM4 的時(shí)間表，計(jì)劃于 2025 年提供樣品，并于 2026 年量產(chǎn)。據(jù)三星高管 Jaejune Kim 透露，該公司 HBM 產(chǎn)量的一半以上是定制化產(chǎn)品，未來(lái)，定制 HBM 方案的市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。通過(guò)邏輯集成，量身定制的 HBM 對(duì)于滿足客戶個(gè)性化需求至關(guān)重要。

三星和 SK 海力士之間的競(jìng)爭(zhēng)正在升溫。

一些市場(chǎng)觀察人士表示，三星在 HBM 芯片開(kāi)發(fā)方面落后于 SK 海力士，為了在新接口標(biāo)準(zhǔn) CXL 開(kāi)發(fā)中占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位，三星加快了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。

SK 海力士表示，計(jì)劃加大對(duì)高帶寬內(nèi)存和 DDR5 芯片的投資，以適應(yīng)人工智能市場(chǎng)的增長(zhǎng)需求。「與 2023 年相比，2024 年的資本支出將有所增加?！覀儗⒆畲笙薅鹊靥嵘Y金利用效率」，SK 海力士副總裁兼首席財(cái)務(wù)官金宇賢表示：「在 2023 年投資金額的范圍內(nèi)，我們根據(jù)產(chǎn)品優(yōu)先順序調(diào)整了資本支出，2024 年，我們將更多地關(guān)注轉(zhuǎn)換制程工藝，而不只是增加產(chǎn)能?！?/p>

金宇賢表示，SK 海力士將努力擴(kuò)大第四代和第五代 10nm 級(jí)制程內(nèi)存芯片的比例，到 2024 年底，這些新品將占據(jù)該公司 DRAM 產(chǎn)量的一半以上。不過(guò)，他表示，要達(dá)到 2022 年第四季度的產(chǎn)能水平，還需要相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間。

SK 海力士對(duì)引領(lǐng) HBM 市場(chǎng)充滿信心，預(yù)測(cè)未來(lái) 5 年的年均增長(zhǎng)率將達(dá)到 60%~80%。該公司 DRAM 營(yíng)銷主管 Park Myung-soo 表示：「我們 2024 年的 HBM3 和 HBM3e 芯片產(chǎn)能已經(jīng)售罄。根據(jù)客戶和市場(chǎng)觀察人士的說(shuō)法，我們的 HBM3 產(chǎn)能份額非常高?！?/p>

據(jù) TrendForce 統(tǒng)計(jì)，2023 年第三季度，SK 海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務(wù)器 DRAM 廠商。報(bào)告顯示，2023 年第三季度，SK 海力士服務(wù)器 DRAM 銷售額達(dá)到 18.5 億美元，拿下 49.6% 的市場(chǎng)份額，穩(wěn)居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務(wù)器 DRAM 銷售額為 13.13 億美元，市占率為 35.2%，同期內(nèi)，美光的服務(wù)器 DRAM 銷售額為 5.6 億美元，市占率為 15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統(tǒng)計(jì)數(shù)字僅是傳統(tǒng)服務(wù)器搭載的 DDR5 內(nèi)存，不包括用于 AI 服務(wù)器的 HBM，若將 HBM 銷售計(jì)算在內(nèi)，SK 海力士領(lǐng)先三星電子的幅度會(huì)更大。

就整體 DRAM 模塊市場(chǎng)而言，三星電子仍穩(wěn)居 DRAM 霸主地位，但 SK 海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為 21.5%。

排名內(nèi)存行業(yè)第三位的美光也在加緊布局 AI 服務(wù)器市場(chǎng)，該公司計(jì)劃在 2024 年第一季度量產(chǎn) HBM3e，以搶攻英偉達(dá)的超級(jí)計(jì)算機(jī) DGX GH200 商機(jī)。美光技術(shù)開(kāi)發(fā)事業(yè)部資深副總裁 Naga Chandrasekaran 表示，采用 EUV 技術(shù)量產(chǎn)的 1-gamma 制程產(chǎn)品，正在研發(fā)過(guò)程中，預(yù)計(jì)于 2025 年量產(chǎn)。

業(yè)界人士指出，在 HBM 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面，雖然美光落后三星和 SK 海力士近一年時(shí)間，但在新一代 HBM3e 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度方面，該公司加快了節(jié)奏，有望在 HBM 競(jìng)賽中扳回一城。