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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

三大原廠 HBM 路線圖

  • 預(yù)計英偉達 HBM3e 驗證將于 2024 Q1 完成。
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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SK海力士成立新部門負責(zé)AI半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

  • 據(jù)韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負責(zé)人工智能（AI）半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球銷售營銷部門負責(zé)人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內(nèi)部的高帶寬內(nèi)存（HBM）能力和功能，還將主導(dǎo)新一代HBM芯片等人工智能技術(shù)的發(fā)展，尋找并開發(fā)新市場。
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美光高性能內(nèi)存與存儲，推動 AI 豐富殘障人士生活體驗

  • 美光云計算高級業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴(yán)重的聽力障礙，即使佩戴助聽器也很難聽清別人在說什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識別他們的唇語，努力理解他們的話語。而當(dāng)多人進行交談時，她常常會感到迷茫。Eric 萌生了一個想法：為何不用祖母的智能手機幫她來“傾聽”呢？他打開手機的記事簿功能，按下麥克風(fēng)按鈕，向她展示了手機如何將他的話轉(zhuǎn)錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現(xiàn)在可以參與到從前無法進行的對話中。”這也讓我們看到了該技術(shù)如何切實改善了言語、語
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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三星、美光大動作，擴產(chǎn)HBM

  • 存儲市場消費電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團隊負責(zé)人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的H
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美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

  • 當(dāng)?shù)貢r間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓(xùn)練性能提升高達28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數(shù)據(jù)庫(IMDB)）以及多線程、多核計數(shù)一般計算工作負載的高效處
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消息稱三星電子將從明年 1 月開始向英偉達供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，此前已向 AMD 供貨

  • IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達提供 HBM3。有分析師預(yù)測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績將在明年迅速復(fù)蘇。一些猜測認為，三星電子可能會在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，但由于 AMD 在該市場的主導(dǎo)地位并不大，因此據(jù)說供應(yīng)有限。市場研究公司 Trend Force 預(yù)測，SK 海
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HBM 的未來是光速 - 集成光子學(xué)的未來設(shè)計

  • HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計算項目 (OCP) 全球峰會上，三星先進封裝團隊 Yan Li 向我們展示了一個比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進一步發(fā)展，熱和晶體管密度問題可能會得到解決。 通過光子學(xué)來解決。 光子學(xué)基于一種可以對單個光子（光的粒子/波）信息進行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當(dāng)前計算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。 功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達到飛秒級，傳播速度接近光
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三星、美光計劃擴大HBM產(chǎn)能

  • 在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴大HBM產(chǎn)能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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抓住 AI 大趨勢，三星、美光積極籌備 HBM 擴建計劃

  • IT之家 11 月 8 日消息，在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。圖源：三星最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責(zé)人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發(fā)出速度為 9.8Gbp
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不負期待：與美光相約2023進博會

  • 不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進博會，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟發(fā)展，推動人工智能和5G應(yīng)用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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SK 海力士第三季度虧損大幅收窄，人工智能芯片成救命稻草

  • IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設(shè)備中使用的普通芯片需求持續(xù)低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設(shè)備的 DRAM 芯片的業(yè)務(wù)，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業(yè)務(wù)…… 預(yù)計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續(xù)改善。仍然虧損的 NAN
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