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國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價(jià)小幅上漲

集邦科技旗下下半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報(bào)告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價(jià)已經(jīng)談完了,預(yù)計(jì)會(huì)小幅上漲。國內(nèi)的存儲(chǔ)芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士?jī)?nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠(yuǎn)離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片工廠中,合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)是在武漢的,不過
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7nm銳龍線程撕裂者很好很強(qiáng)大,帶火單條32GB內(nèi)存

今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格開始被熱炒，已經(jīng)有漲價(jià)的苗頭了，不過總體來看目前的內(nèi)存價(jià)位還是不錯(cuò)的，8GB單條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個(gè)趨勢(shì)值得注意，那就是大容量單條越來越多，32GB單條就很受高玩歡迎，因?yàn)锳MD去年推出的銳龍Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB內(nèi)存平臺(tái)的首選。
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%

以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場(chǎng)
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內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案

　　Raj Talluri? （美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理）　　1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn)　　數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求，而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大需求來源?！　≡谝苿?dòng)領(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長(zhǎng)，智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM ，以支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢(shì)判斷，美光認(rèn)為2020年，智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND?！　∨c此同時(shí)，5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對(duì)DRAM和N
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2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少?！　￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì)，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年第1季度DRAM的
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南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級(jí)內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評(píng)估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對(duì)外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上，會(huì)否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電分析師：對(duì)清庫存是重大利好

在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對(duì)于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對(duì)內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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三星存儲(chǔ)工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

北京時(shí)間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng)，并正在評(píng)估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲(chǔ)工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí)，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%，預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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1萬億次寫入壽命傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ)，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、
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蘋果中國官網(wǎng)上架DDR4 ECC內(nèi)存套件：44040元

有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，蘋果中國官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件，其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為：256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。從蘋果官網(wǎng)給出的售價(jià)來看，256GB DDR4 ECC套件（2933MHz LR-DIMM，為兩個(gè)128GB DIMM）售價(jià)為44040元，而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM（兩個(gè)16GB DIMM）售價(jià)為5872元。如果查看蘋果內(nèi)存套件和Mac Pro技術(shù)規(guī)格會(huì)發(fā)現(xiàn)，蘋果根據(jù)芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
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兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存最快2021年量產(chǎn)

國內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個(gè)項(xiàng)目的預(yù)計(jì)實(shí)施時(shí)間及整體進(jìn)度安排，具體如下：·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動(dòng)首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場(chǎng)定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計(jì)工藝。·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)開展流片試樣，反復(fù)修改直至通過系統(tǒng)驗(yàn)證?！?021年，對(duì)首款芯片試樣進(jìn)行封裝測(cè)試，并送交系統(tǒng)芯片商進(jìn)行功能認(rèn)證，并最終通過客
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集邦咨詢：供給調(diào)整速度不及需求成長(zhǎng)，2020年第一季顯卡內(nèi)存價(jià)格快速翻漲

近日，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，2020年第一季除了因1X納米良率問題導(dǎo)致供貨不及，使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外，顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別，屬于價(jià)格波動(dòng)明顯的淺碟市場(chǎng)，因此在買方積極拉貨下，預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。顯卡與游戲機(jī)規(guī)格提升，高容量GDDR6需求增溫觀察2020年整體需求狀況，市場(chǎng)正快速從GDDR5轉(zhuǎn)向GDDR6，顯卡市場(chǎng)中，NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6，而AMD正在積
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個(gè)系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
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