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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

備貨熱潮提前到 內(nèi)存廠Q2有望價量齊揚(yáng)

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在美國對等關(guān)稅政策反復(fù)變動下，提前出現(xiàn)備貨熱潮。 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實質(zhì)改變內(nèi)存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內(nèi)完成交易、生產(chǎn)出貨，預(yù)期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關(guān)稅寬限期暫時緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態(tài)，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進(jìn)而帶動供應(yīng)鏈產(chǎn)能，尤其以
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
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AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認(rèn)內(nèi)存價格上漲

  • 美光已確認(rèn)其提高內(nèi)存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強(qiáng)勁。該公司的最新公告表明，隨著供應(yīng)限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價格上漲之際，內(nèi)存市場正從供應(yīng)過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應(yīng)商的減產(chǎn)以及對高性能計算和 AI 工作負(fù)載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩(wěn)步回升。隨著美光確認(rèn)有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預(yù)計將效仿，進(jìn)一步鞏固價格上漲趨勢。
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帶你探索面向AI邊緣應(yīng)用的創(chuàng)新內(nèi)存解決方案與設(shè)計

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書，探討內(nèi)存在AI邊緣應(yīng)用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關(guān)鍵設(shè)計考慮因素。Micron是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接和移動等關(guān)鍵市場領(lǐng)域，為AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和自動駕駛汽車的發(fā)展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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下一代HBM4、HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2

  • 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器，不但規(guī)格、性能越來越強(qiáng)，HBM內(nèi)存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進(jìn)。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內(nèi)存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強(qiáng)版HBM4E內(nèi)存；而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計下半年量產(chǎn)

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運(yùn)行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
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Intel傲騰死了 中國非易失性存儲重大突破！容量128Gb

  • 2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業(yè)務(wù)，與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲技術(shù)的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括阻變存儲、相變存儲、鐵電存儲、磁阻存儲，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學(xué)歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲芯
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英偉達(dá)被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存：694 個 I/O 端口突破 AI 計算瓶頸

  • 2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報道稱英偉達(dá)正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機(jī)，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強(qiáng)，有望成為內(nèi)存市場的新增長點(diǎn)。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進(jìn)行 SOCAMM 原型機(jī)的性能測試，預(yù)計最快將于今年年底實現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠(yuǎn)超 PC DRAM 和
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新一代HBM來了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級 成人中指大小

  • 2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽(yù)為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強(qiáng)個人AI超級計算機(jī)的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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通過 SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

  • 樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時鐘下實現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進(jìn)一步調(diào)整內(nèi)存時序，他們與美光公司進(jìn)行了溝通，并實施了一系列小的調(diào)整，這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進(jìn)！SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實際上
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AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠

  • Micron Technology 已開始在新加坡建設(shè)其價值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預(yù)計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設(shè)施將于 2026 年開始運(yùn)營。美光的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設(shè)施將使用先進(jìn)的人工智能驅(qū)動的自動化來
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

  • 三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)展望：2024年及以后

  • HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)是即將到來的“內(nèi)存內(nèi)計算/處理”時代的一種“近內(nèi)存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內(nèi)存制造商正在HBM技術(shù)的開發(fā)上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內(nèi)存。因此，對于內(nèi)存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定：適應(yīng)AI計算新需求

  • 隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動產(chǎn)品對內(nèi)存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運(yùn)行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)入最終的敲定期，預(yù)計到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進(jìn)一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進(jìn)版的LPDDR
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