hbm 內(nèi)存文章進(jìn)入hbm 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

臺積電要抄三星的后路

在芯片制造領(lǐng)域，先進(jìn)制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進(jìn)的存儲芯片制造，這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工，臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會越來越困難。在高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術(shù)難度和制造難度提高了不少，需要更先進(jìn)的制程工藝參與進(jìn)來。2nm 制程針鋒相對據(jù)報道，臺積電將于 7 月中旬開始試生產(chǎn) 2n
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存儲大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強(qiáng)調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆

在英偉達(dá)一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上，少不了兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)支持，其中之一是由臺積電主導(dǎo)的 CoWoS 先進(jìn)封裝，另一個便是席卷當(dāng)下的 HBM（高帶寬存儲）。英偉達(dá) H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達(dá) H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語言模型，提高高性能計(jì)算（HPC）的工作負(fù)載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

《科創(chuàng)板日報》17日訊，SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠，用于測試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊，并增加帶寬。
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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲廠商們準(zhǔn)備好了嗎？

在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個版本：HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
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英偉達(dá)、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達(dá)、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開啟市場的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無需中介層實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成

IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進(jìn)封裝流程?！?nbsp;2.5D 集成結(jié)構(gòu)對比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達(dá)到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細(xì)度。結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光
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高速運(yùn)算平臺內(nèi)存爭霸 AI應(yīng)用推升內(nèi)存需求

在不同AI運(yùn)算領(lǐng)域中，依照市場等級的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運(yùn)算中心的人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)與圖形處理的超高速運(yùn)算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務(wù)器、一般計(jì)算機(jī)與筆電的演算應(yīng)用；另一種是一般消費(fèi)電子如手機(jī)、特殊應(yīng)用裝置或其它邊緣運(yùn)算的應(yīng)用。現(xiàn)階段三種等級的應(yīng)用，所搭配的內(nèi)存也會有所不同，等級越高內(nèi)存的性能要求越高，業(yè)者要進(jìn)入的門坎也越高。不過因?yàn)楦黝怉I應(yīng)用的市場需求龐大，各種內(nèi)存的競爭也異常的激烈，不斷地開發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴(kuò)大應(yīng)用，所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
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從應(yīng)用端看各類內(nèi)存的機(jī)會與挑戰(zhàn) 跨領(lǐng)域新市場逐漸興起

內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組件，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應(yīng)用帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用端出發(fā)，探討各類內(nèi)存的機(jī)會與挑戰(zhàn)。動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）DRAM是當(dāng)前計(jì)算器系統(tǒng)中最常見的主存儲器技術(shù)，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應(yīng)用于PC、服務(wù)器、移動設(shè)備和游戲機(jī)中。隨著人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用的興起，DRAM的需求持續(xù)增長，尤其是在需要高速數(shù)據(jù)處理和低延遲的應(yīng)用場景。DRAM的主要挑戰(zhàn)在于其揮發(fā)性和功耗問題。DRAM需要持續(xù)供電以維持?jǐn)?shù)據(jù)，這限制了其在移動
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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三星Q2營利暴增15倍遠(yuǎn)超外界預(yù)期

韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團(tuán)整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達(dá)74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下營業(yè)利益高達(dá)10.8兆韓元以后，全集團(tuán)營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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三星HBM芯片據(jù)稱通過英偉達(dá)測試

財聯(lián)社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達(dá)的產(chǎn)品測試，三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達(dá)一事展開談判。
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HBM、先進(jìn)封裝利好硅晶圓發(fā)展

隨著人工智能技術(shù)快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進(jìn)封裝以及HBM技術(shù)不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時結(jié)構(gòu)下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報道，AI浪潮之下全球HBM嚴(yán)重供不應(yīng)求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴(kuò)產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術(shù)，HBM高帶寬存儲芯片晶圓
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