三星HBM芯片據(jù)稱通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試 作者： 時(shí)間：2024-07-04 來(lái)源：財(cái)聯(lián)社 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 財(cái)聯(lián)社7月4日電，韓國(guó)媒體NewDaily報(bào)道稱，三星電子的HBM3e芯片通過(guò)了英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達(dá)一事展開談判。本文引用地址：http://2s4d.com/article/202407/460643.htm
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