信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無需中介層實現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成

IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。

▲ 蝕刻圖案

這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進封裝流程。

▲ 2.5D 集成結(jié)構(gòu)對比

信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。

結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光掩模坯和特殊鏡頭，新型激光后端制造設(shè)備可一次性加工 100mm 見方或更大的區(qū)域。

根據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，信越化學(xué)目標(biāo) 2028 年量產(chǎn)這款設(shè)備，力爭實現(xiàn) 200~300 億日元（IT之家備注：當(dāng)前約 9.02 ~ 13.53 億元人民幣）相關(guān)年銷售額。