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信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

  • 第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。圖片來源：信越化學從氮化鎵生產上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產線來生產GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數，可實現(xiàn)大直徑的高質量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標準厚度的QS
  • 關鍵字： 信越化學  氮化鎵  外延生長  

信越推出新型半導體后端制造設備，可無需中介層實現(xiàn) HBM 內存 2.5D 集成

  • IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案?！?nbsp;蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發(fā)的光
  • 關鍵字： 信越化學  HBM  先進封裝  

日本信越化學擬投資50億日元在越南建LED材料廠

  • 　　日本最大化學公司信越化學株式會社將在越南投建兩個工廠，分別生產高亮度LED燈用的硅基材料和高純稀土材料，總投資50億日元，約合6400萬美元。 　　根據信越化學公告，公司將投資20 億日元，在越南海防市的庭武工業(yè)園區(qū)建立一個占地80000平方米的稀土分離和精煉廠。于2013年2月投入生產,預計年處理稀土礦1000噸，越南新工廠被認為可緩解該公司對中國稀土的依賴。 　　同時，信越電子材料越南有限公司將在越南北部興安省的工業(yè)園區(qū)興建占地50000平方米的工廠，生產高亮度LED燈用的硅基材料，總投資30
  • 關鍵字： 信越化學  LED  
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信越化學介紹

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