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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

hbm 內(nèi)存 文章 進入hbm 內(nèi)存技術社區(qū)

價格和需求同亮眼，HBM存儲及先進封裝將迎來擴產(chǎn)

  • 市場對人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫存調(diào)整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統(tǒng)售價更高。在此帶動下，從今年
  • 關鍵字： HBM  存儲  先進封裝  

TrendForce集邦咨詢：震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤

  • TrendForce集邦咨詢針對403震后各半導體廠動態(tài)更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區(qū)域，加上臺灣地區(qū)的半導體工廠多以高規(guī)格興建，內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級。以本次的震度來看，幾乎都是停機檢查后，迅速復工進行，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導致在線晶圓破片或是毀損報廢，但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復工后迅速將產(chǎn)能補齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  晶圓代工  內(nèi)存  

三星組建HBM產(chǎn)能質量提升團隊，加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)

  • 三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術負責人Hwang Sang-joon領導HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質量提升團隊。據(jù)外媒報道，近日，三星電子DS部門負責人慶桂顯表示，三星內(nèi)部正采取雙軌AI半導體策略，同步提高在AI用存儲芯片和AI算力芯片領域的競爭力。三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術負責人Hwang Sang-joon領導HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質量提升團隊。此外，慶桂顯稱客戶對于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長，并有部分客戶表達了將Mach系列芯片應用于超1000B參數(shù)大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
  • 關鍵字： HBM  AI推理芯片  

三星組建 HBM 產(chǎn)能質量提升團隊，加速 AI 推理芯片 Mach-2 開發(fā)

  • 4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內(nèi)部正采取雙軌 AI 半導體策略，同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分，三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術負責人 Hwang Sang-joon 領導 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能與質量提升團隊，這是其今年建立的第二個 HBM 專門團隊。三星近期在 HBM 內(nèi)存上進行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內(nèi)存市場領軍地位：2019 年，三星因對未來市場的錯誤預測
  • 關鍵字： 三星  HBM  AI  Mach-2  

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

  • HBM 即高帶寬內(nèi)存，是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片。如果說傳統(tǒng)的 DDR 就是采用的"平房設計"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設計"方式。目前，HBM 產(chǎn)品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。可以看到，HBM 每一次更新迭代都會伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨特的 2.5D/3D 內(nèi)存架構，迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3 不僅
  • 關鍵字： HBM  

美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內(nèi)存已售罄

  • 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內(nèi)存供應已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當大的HBM市場份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示。“我們繼續(xù)預計 HBM
  • 關鍵字： 美光  存儲  AI  HBM  

黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達正驗證其 HBM 內(nèi)存

  • 3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前，網(wǎng)絡上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
  • 關鍵字： 黃仁勛  三星  英偉達  HBM 內(nèi)存  

三星計劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1，采用 LPDDR 內(nèi)存

  • 3 月 20 日消息，三星電子 DS（設備解決方案）部門負責人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在今日的三星電子股東大會上宣布，三星電子計劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術驗證，正處于 SoC 設計階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程，明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報道指，Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結構，可將片外內(nèi)存與計算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外，該芯
  • 關鍵字： 三星  AI 芯片  LPDDR  內(nèi)存  

存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

  • 近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
  • 關鍵字： DDR  美光科技  HBM  

集邦咨詢：存儲新技術DDR、HBM等大放異彩

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續(xù)突破。按照不
  • 關鍵字： 存儲  DDR  HBM  

2024年，存儲新技術DDR、HBM等大放異彩！

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續(xù)突破。按照不同的
  • 關鍵字： DDR  GDDR6  HBM  

三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
  • 關鍵字： 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  

服務器內(nèi)部揭秘（CPU、內(nèi)存、硬盤）

  • 服務器作為網(wǎng)絡的節(jié)點，存儲、處理網(wǎng)絡上80％的數(shù)據(jù)、信息，被稱為互聯(lián)網(wǎng)的靈魂。它不僅是一個簡單的機器，更像是一個精密的工程，由多個關鍵組件相互配合，以實現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)處理和存儲。01?什么是服務器服務器是在網(wǎng)絡中為其他客戶機提供服務的高性能計算機：具有高速的CPU運算能力，能夠長時間的可靠運行，有強大的I/O外部數(shù)據(jù)吞吐能力以及更好的擴展性。服務器的內(nèi)部結構與普通計算機內(nèi)部結構類似（CPU、硬盤、內(nèi)存、系統(tǒng)總線等）。服務器Server：間接服務于多人；個人計算機PC：直接服務于個人。02 服務器的
  • 關鍵字： 服務器  CPU  內(nèi)存  硬盤  

存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝

  • SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長認為，半導體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
  • 關鍵字： 存儲  HBM  先進封裝  

HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？

  • 近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過，HBM技術含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術
  • 關鍵字： HBM  存儲  
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