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DDR之頻率

大家好，我是蝸牛兄。本文主要介紹DDR常用的三種頻率，以及梳理內(nèi)存頻率是怎樣提升的?？赡苓@篇文章對于電路設(shè)計(jì)用處不大，但多了解一點(diǎn)總是沒壞處的。圖1 文章框圖通過下面這張表，我們一起來了解一下內(nèi)存DDR的頻率。圖2 內(nèi)存頻率表格從表中可以看出內(nèi)存有三種頻率，分別是核心頻率，工作頻率和等效頻率。而我們平時(shí)所說的頻率就是等效頻率。從表格中我們可以得出以下信息：1、核心頻率，指真正讀寫內(nèi)存顆粒的頻率，它是固定不變的，一般是133，166，和200MHz三類，這個(gè)頻率提升很難。2、工作頻率，DDR工作頻率是顆粒核
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美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對于滿足工作負(fù)載需求
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全球HBM戰(zhàn)局打響！

AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢增長的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時(shí)，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進(jìn)國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時(shí)間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗(yàn)

2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機(jī)榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗(yàn)。該手機(jī)支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時(shí)代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲的加持下，實(shí)現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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美光、SK海力士今年HBM已售罄

繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄

近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將
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價(jià)格暴漲500%，HBM市場徹底被引爆

內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。在這個(gè)背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)入全新時(shí)代的關(guān)鍵力量。相較于傳統(tǒng)的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），HBM 的性能優(yōu)勢顯而易見。遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越 DDRDDR 是一種常見的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型，最早是為了提高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾识O(shè)計(jì)的。它采用了雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
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SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”

最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年?duì)I業(yè)利潤時(shí)隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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為什么仍然沒有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
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對內(nèi)存的重新思考

馮·諾依曼架構(gòu)將繼續(xù)存在，但人工智能需要新的架構(gòu)，3D 結(jié)構(gòu)需要新的測試工具。
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢

三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個(gè)新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平
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華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場趨穩(wěn)求進(jìn)

華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場趨穩(wěn)求進(jìn)
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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