新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 市場分析 > HBM之后存儲器市場掀起新風(fēng)暴

HBM之后存儲器市場掀起新風(fēng)暴

作者: 時間:2024-06-27 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動市場前行,其中(高帶寬內(nèi)存)是當(dāng)之無愧的“寵兒”,不斷吸引廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時,市場新的力量已經(jīng)悄然形成,GDDR7有望接過大棒,在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202406/460411.htm

GDDR7與的差異

GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM,二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力,可為AI計算提供強(qiáng)大支持,不過GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。

GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量,是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC正式發(fā)布JESD239 GDDR7標(biāo)準(zhǔn),帶寬大幅增加,最終將達(dá)到每臺設(shè)備192GB/s。計算得出,內(nèi)存速度為48Gbps,是GDDR6X的兩倍;獨(dú)立通道數(shù)量翻倍,從GDDR6中的2個增加到GDDR7中的4個;支持16 Gbit至32Gbit密度,包括支持2通道模式以使系統(tǒng)容量加倍。

同時,JESD239 GDDR7也是第一個使用脈幅調(diào)制(Pulse Amplitude Modulation,PAM)接口進(jìn)行高頻操作的 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)DRAM。其PAM3接口提高了高頻操作的信噪比(SNR),同時提高了能源效率。

GDDR7主要應(yīng)用于圖形處理、游戲、計算、網(wǎng)絡(luò)和AI等領(lǐng)域,尤其是游戲領(lǐng)域,基于高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力,GDDR7可顯著提升游戲畫面流暢度與加載速度,助力游戲玩家得到更好體驗。人工智能領(lǐng)域,GDDR7潛力十足,可支持AI大模型進(jìn)行快速數(shù)據(jù)處理與運(yùn)算,進(jìn)而為大模型訓(xùn)練與推理提速。

JEDEC GDDR小組委員會主席Michael Litt曾對外表示GDDR7是首款不僅專注于帶寬,而且通過整合最新數(shù)據(jù)完整性功能來滿足RAS(可靠性、可用性、可維護(hù)性)的市場需求,這些功能使GDDR設(shè)備能夠更好地服務(wù)云游戲和計算等現(xiàn)有市場,并擴(kuò)展到AI。

HBM采用內(nèi)存堆疊技術(shù),通過硅通孔(TSV)技術(shù)實現(xiàn)層與層之間的連接,具備高容量、高帶寬、低延時與低功耗等特性,其優(yōu)勢在于打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。目前HBM主要在AI服務(wù)器、超級計算機(jī)領(lǐng)域應(yīng)用。

自2013年第一代HBM推出以來,至今已歷經(jīng)第二代(HBM2)、第三代(HBM2E)、第四代(HBM3)、第五代(HBM3E)產(chǎn)品,今年HBM3e將是市場主流,集中在今年下半年出貨。此外,第六代HBM4預(yù)計有望最早于2025年亮相。據(jù)悉,HBM4將帶來突破性變革,采用2048位元內(nèi)存接口,理論上也可以使傳輸速度再次翻倍。

三家存儲器大廠爭奪GDDR7話語權(quán)

基于技術(shù)的高門檻特性,HBM市場份額牢牢掌控在SK海力士、三星與美光三家存儲器大廠手中。同時,隨著AI效應(yīng)不斷發(fā)酵,存儲器大廠的競爭也正從HBM拓展到GDDR領(lǐng)域。

今年以來,三家大廠陸續(xù)對外表態(tài)開始提供GDDR7內(nèi)存樣品,預(yù)計部分廠商GDDR7有望于今年第四季到明年第一季度量產(chǎn)。

圖片來源:三星官網(wǎng)

三星與SK海力士今年3月宣布了各自GDDR7的相關(guān)指標(biāo):三星GDDR7芯片通過首次應(yīng)用PAM3信號,能夠在僅1.1 V的DRAM電壓下實現(xiàn)32Gbps的速度,這超過了JEDEC的GDDR7規(guī)范中的1.2 V;SK海力士與其前身GDDR6相比,最新的GDDR7產(chǎn)品提供的最大帶寬達(dá)到160GB/s,是其上一代產(chǎn)品的兩倍,功耗效率提升了40%,內(nèi)存密度提升1.5倍。

圖片來源:SK海力士官網(wǎng)

6月,美光宣布已開始出樣新一代GDDR7,速度為32Gbps,顯存帶寬1.5TB/sec,相比較GDDR6提高了60%,具有業(yè)界最高的位元密度。美光GDDR7采用1β DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)打造,并且有四個獨(dú)立通道可優(yōu)化工作負(fù)載。提供了更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。此外,美光GDDR7的能效比GDDR6提高了50%,從而改善了便攜式設(shè)備(筆記本電腦等)的散熱性能,延長了電池壽命,而新的睡眠模式可將待機(jī)功耗降低70%。美光表示,其下一代 GDDR7可提供高性能,將吞吐量提高033%,并將生成式人工智能工作負(fù)載(包括文本和圖像創(chuàng)建)的響應(yīng)時間縮短20%。

圖片來源:美光官網(wǎng)

另據(jù)業(yè)界近期爆料,NVIDIA RTX 50全系采用了最新的GDDR7,最高容量可達(dá)16GB,包括:GN22-X11(16 GB GDDR7)、GN22-X9(16 GB GDDR7)、GN22-X7(12 GB GDDR7)、GN22-X6 (8 GB GDDR7)、GN22-X4 (8 GB GDDR7)、GN22-X2 (8 GB GDDR7)。業(yè)界認(rèn)為,GDDR7將成為繼HBM之后存儲器市場的新戰(zhàn)場,同時原廠也將依舊爭搶NVIDIA GPU訂單。

結(jié)語

HBM火熱勢頭不減,GDDR7蓄勢待發(fā),存儲器市場競爭不斷,未來又將有哪些新看點(diǎn),我們拭目以待。




關(guān)鍵詞: HBM 存儲器

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉