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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3nm finfet

半導(dǎo)體制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫

  • 　　要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 　　盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(huà)(參考閱讀)之后快速成長(zhǎng);而市 場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊?guó)上海成立的一座新晶圓廠是否會(huì)采用FD
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Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢(shì)

  • 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)
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移動(dòng)處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流

  • 　　隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機(jī)對(duì)極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點(diǎn)的SoC也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰(zhàn)?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來(lái)怎樣的發(fā)展變革? 　　  5納米節(jié)點(diǎn)是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
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全球首家：臺(tái)積電公布5納米FinFET技術(shù)藍(lán)圖

  • 　　臺(tái)積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)藍(lán)圖。臺(tái)積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開(kāi)始對(duì)外提供代工服務(wù)，是全球首家揭露5納米代工時(shí)程的晶圓代工廠。 　　臺(tái)積電透露，配合客戶明年導(dǎo)入10納米制程量產(chǎn)，臺(tái)積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)化InFO布局，是否會(huì)威脅日月光、矽品等專業(yè)封測(cè)廠，業(yè)界關(guān)注。 　　臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，是公司維持高獲利的最大動(dòng)能，昨天的新聞發(fā)布會(huì)上，先進(jìn)制程布局，成為法人另一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。 　　
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半導(dǎo)體走到3nm制程節(jié)點(diǎn)不成問(wèn)題

  • 　　在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會(huì)繼續(xù)，我不僅相信它將會(huì)繼續(xù)，而且我認(rèn)為它不得不繼續(xù)。” 　　他認(rèn)為，目前從技術(shù)層面來(lái)說(shuō)，F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進(jìn)到3nm的制程節(jié)點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來(lái)的唯一選擇。
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ARM攜手臺(tái)積電打造多核10納米FinFET測(cè)試芯片 推動(dòng)前沿移動(dòng)計(jì)算未來(lái)

  • 　　ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。　　此款測(cè)試芯片的成功驗(yàn)證(設(shè)計(jì)定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺(tái)積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法，能夠使新客戶采用臺(tái)積電最先進(jìn)的
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華人胡正明獲美國(guó)最高科技獎(jiǎng)：FinFET發(fā)明人

  • 　　據(jù)中新網(wǎng)、網(wǎng)易等報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間2016年5月19日，美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國(guó)最高科技獎(jiǎng)項(xiàng)獲得者頒獎(jiǎng)，包括9名國(guó)家科學(xué)獎(jiǎng)獲得者和8名國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)。 　　她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對(duì)進(jìn)口石油的依賴。 　　另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺(tái)灣長(zhǎng)大，后
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顯卡大戰(zhàn) AMD/Nvidia各有妙招

  • Nvidia和AMD雙方都擁有為數(shù)眾多的粉絲,每天在網(wǎng)上相互抨擊的文章和帖子是數(shù)不勝數(shù)，大家都認(rèn)為自家購(gòu)買的顯卡是最好的，而把對(duì)方貶的一無(wú)是處，顯卡如此，CP黨爭(zhēng)更是如此。
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FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

  • 　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。 　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

  • 　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。 　　因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那 些題目不關(guān)他們
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FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

  • 本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  FinFET  制造  201604  

針對(duì)高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝，ARM與臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議

  •        ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對(duì)7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來(lái)低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作。　　ARM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密

  • 　　三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項(xiàng)消息持續(xù)引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋(píng)果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 　　業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺(tái)積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
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5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 　　而對(duì)于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來(lái)說(shuō)，至今業(yè)界
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應(yīng)用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴(kuò)增

  • 　　    　　應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸認(rèn)為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！　?yīng) 用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來(lái)晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對(duì)晶圓代工來(lái)說(shuō)，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場(chǎng)效電晶體 (FinFET)
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