首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm finfet

3nm finfet 文章 最新資訊

外媒：臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個重要節(jié)點。在2019年第四季度的財報分析師電話會
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  3nm  

面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機曝光

  • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
  • 關(guān)鍵字： 3nm  EUV  

燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓練解決方案云燧T10

  • 在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數(shù)據(jù)中心培訓的高性能深度學習加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓練平臺提供高算力、高能效比的數(shù)據(jù)處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺擁有141億個晶體管，采用先進的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡(luò)模型和豐富的數(shù)據(jù)類型
  • 關(guān)鍵字： FinFET  2.5D  

Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設(shè)備會議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點一覽無余，甚至推進到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標定義階段，3nm處于探索、先導階
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  10nm  7nm  5nm  3nm  

新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

  • 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎(chǔ)IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
  • 關(guān)鍵字： 新思  臺積合   FinFET 強化版N5P  

格芯針對人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案

  • 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時間。
  • 關(guān)鍵字： 格芯  人工智慧應(yīng)用  12LP+ FinFET  

三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
  • 關(guān)鍵字： CPU處理器，3nm  

臺積電：3nm工藝進展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導體工藝上，臺積電一直十分激進，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術(shù)定義，3nm將在未來進一步深化臺積電的領(lǐng)導地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒有給出任何技術(shù)細節(jié)，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點，而不是5nm的改進版。臺積電只是說，已經(jīng)評估了3n
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  3nm  

國產(chǎn)3nm半導體來了？只是學術(shù)進展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導體工藝的突破性進展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學的限制。
  • 關(guān)鍵字： 3nm  半導體  

臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥，臺積電一家就占了全球50-60%的份額，幾乎吃下所有7nm先進訂單。不過今年遇到了半導體市場熊市，臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑，凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝，預(yù)計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  Q1  7/5/3nm  

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時，三星也將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  

三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導體極限

  • 在半導體晶圓代工市場上，臺積電TSMC是全球一哥，一家就占據(jù)了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進工藝，官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時間，明年就會量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外，三星也在加大先進工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點，下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺積電，而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
  • 關(guān)鍵字： 三星  臺積電  3nm  

3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時超出了我等普通人的想象，今年臺積電才開始量產(chǎn)7nm，計劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計劃在2022年實現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
  • 關(guān)鍵字： 3nm  臺積電  

Mentor 擴展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

  • 　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級封裝產(chǎn)品?！　SMC 設(shè)
  • 關(guān)鍵字： Mentor  FinFET   

格芯擴展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實現(xiàn)未來智能系統(tǒng)

  • 　　格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設(shè)計、開發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強差異化投資的全新側(cè)重點之一，功能豐富的半導體平臺為下一代計算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長市場(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動駕駛汽車)應(yīng)用提供更好的可擴展性和性
  • 關(guān)鍵字： 格芯  FinFET  
共311條 12/21 |‹ « 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473