三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。

三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量產。

在3nm節(jié)點，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。

根據官方所說，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發(fā)及生產。

在這次的日本SFF會議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

在工藝進度上，三星今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm芯片，今年內完成4nm工藝開發(fā)，2020年完成3nm工藝開發(fā)。