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3nm finfet 文章 最新資訊

FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

  • 本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  FinFET  制造  201604  

針對(duì)高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝，ARM與臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議

  •        ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對(duì)7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作。　　ARM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密

  • 　　三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項(xiàng)消息持續(xù)引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 　　業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺(tái)積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
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5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 　　而對(duì)于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來說，至今業(yè)界
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應(yīng)用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴(kuò)增

  • 　　    　　應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸認(rèn)為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！　?yīng) 用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對(duì)晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場(chǎng)效電晶體 (FinFET)
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三星新一代FinFET制程可望擄獲高通？

  • 　　一直在先進(jìn)制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電(TSMC)激烈競(jìng)爭(zhēng)的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。 　　香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺(tái)積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì)將大多數(shù)10/14奈米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會(huì)是未來高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)
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AMD：14納米FinFET將進(jìn)入GPU市場(chǎng) 年中進(jìn)入量產(chǎn)

  • 　　盡管GPU(繪圖處理器)市場(chǎng)剩下AMD與NVIDIA兩大供應(yīng)商，但在先進(jìn)技術(shù)的投入上，仍然沒有手軟過。 　　AMD的GPU主力產(chǎn)品Radeon系列，在去年推出導(dǎo)入HBM(高頻寬記憶體)技術(shù)后，引來市場(chǎng)關(guān)注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產(chǎn)品Polaris架構(gòu)，采用14奈米FinFET制程，目前已經(jīng)送樣給主要的OEM客戶，預(yù)計(jì)在今年年中進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)程，該產(chǎn)品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實(shí)境)與桌上型電腦等領(lǐng)域。 　　據(jù)AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構(gòu)有別于過往
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
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臺(tái)積電16nm好過三星14nm的真相

  • 最近，關(guān)于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評(píng)判蘋果一再?gòu)?qiáng)調(diào)的整機(jī)綜合續(xù)航差2~3%的準(zhǔn)確性，但是三星14nm工藝相比臺(tái)積電16nm工藝較差已經(jīng)可以說是板上釘釘?shù)氖铝恕?/li>
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Intel憑何獨(dú)步天下!

  • Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚(yáng)過，整個(gè)世界也都承認(rèn)，無與倫比的先進(jìn)制造工藝是這家芯片巨頭永遠(yuǎn)令人眼紅的優(yōu)勢(shì)。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時(shí)候仍然是這個(gè)地球上最先進(jìn)的。其他半導(dǎo)體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時(shí)，Intel仍在堅(jiān)持獨(dú)行，仍在引領(lǐng)世界。
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FinFET 全面攻占 iPhone！五分鐘讓你看懂 FinFET

  • 這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國(guó)際大廠趨之若騖呢? 　　
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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AMD終于用上了FinFET工藝

  • 　　這么多年，新工藝一直是AMD的痛點(diǎn)。早年自己生產(chǎn)進(jìn)展跟不上，現(xiàn)在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺(tái)積電都跑去抱蘋果的大腿了，導(dǎo)致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。 　　不過在昨日的財(cái)務(wù)會(huì)議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進(jìn)展順利，接下來就可以去投產(chǎn)了。 　　她并沒有說具體是哪兩款產(chǎn)品(估計(jì)會(huì)是新架構(gòu)ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰，臺(tái)積電16nm、GF14nm都有
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探秘大基金，下一個(gè)投資目標(biāo)瞄準(zhǔn)了誰？

  • 　　自去年國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因?yàn)?ldquo;手握重金”，坊間對(duì)于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔(dān)心大基金的投資會(huì)不會(huì)遍地開花，甚至?xí)Я酥袊?guó)整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)。據(jù)最接近大基金的業(yè)內(nèi)資深人士透露，這個(gè)擔(dān)心是多余的，大基金的“國(guó)家戰(zhàn)略+市場(chǎng)化運(yùn)營(yíng)”的機(jī)制以及股權(quán)投資基金業(yè)的游戲規(guī)則決定了它不會(huì)這么干! 　　市場(chǎng)上的私募股權(quán)投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無非是它有了
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哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國(guó)時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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