手機鏈考量？技術分水嶺抉擇？　大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協(xié)議、于相關高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手機產(chǎn)業(yè)鏈、貿(mào)易政策考量相關。

　　FD-SOI的特點在于較低的導通電壓、運作電壓，電路運作時的省電性較佳，同時支持者強調FD-SOI每閘電路成本較低。不過，現(xiàn)階段FD-SOI的微縮制程不如FinFET，相同面積內的電晶體密度較低，電路運作效能也較低。

　　目前支持FD-SOI的晶圓代工廠主要為美國格羅方德(GlobalFoundries)、南韓三星半導體(Samsung Semiconductor)的晶圓代工業(yè)務，以及歐洲意法半導體(STMicroelectronics;STMicro)，大陸晶圓代工廠華虹(HH Grace)也可能加入，不過即將已表態(tài)支持的業(yè)者營收加總，其合計營收總額仍遠不及臺積電營收，此連帶反映代工產(chǎn)能，并影響晶片商的制程路線選擇。

　　DIGITIMES Research推測，現(xiàn)階段僅有代工產(chǎn)量少、價位中低，無法在現(xiàn)有晶圓代工排程中獲得優(yōu)先順位的晶片商轉投FD-SOI。高量、高價晶片以及高效能、高密度晶片，仍會傾向FinFET生態(tài)圈。

　　半導體節(jié)點制程持續(xù)精進的兩個路線