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英特爾最新的FinFET是其代工計(jì)劃的關(guān)鍵

在上周的VLSI研討會(huì)上，英特爾詳細(xì)介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務(wù)的基礎(chǔ)。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項(xiàng)技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)對(duì)其計(jì)劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對(duì)于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計(jì)劃至關(guān)重要。它被稱為偶極子功
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測(cè)試芯片通過加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國(guó)格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
關(guān)鍵字： Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片

晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代

3D 芯片堆疊對(duì)于補(bǔ)充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺(tái)積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

摘要：●? ?全新參考流程針對(duì)臺(tái)積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設(shè)計(jì)流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺(tái)積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計(jì)系列產(chǎn)品，為追求更高預(yù)測(cè)精度
關(guān)鍵字：新思科技是德科技 Ansys 臺(tái)積公司 4 納米射頻 FinFET 射頻芯片設(shè)計(jì)

是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

●? ?新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案●? ?強(qiáng)大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計(jì)效率，實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場(chǎng)是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導(dǎo)體設(shè)計(jì)加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺(tái)積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖：FinFET將于3nm到達(dá)盡頭

近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖，分享對(duì)應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計(jì)劃。外媒報(bào)導(dǎo)，IMEC制程藍(lán)圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)。△Source：IMEC隨著時(shí)間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點(diǎn)會(huì)越來(lái)越貴，原有的單芯片設(shè)計(jì)方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計(jì)。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲(chǔ)器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電推出首創(chuàng)汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

● 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸● 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米
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ST和GlobalFoundries在法國(guó)Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營(yíng)的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì)，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國(guó)東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長(zhǎng)期以來(lái)一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來(lái)看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現(xiàn)FinF
關(guān)鍵字： FD-SOI GAAFET FinFET

Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì)，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫(kù)（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo)：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
關(guān)鍵字： Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake

5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來(lái)：使用工藝和電路仿真來(lái)預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)在與比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來(lái)探索端到端的解決方案，運(yùn)用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評(píng)估工藝變化對(duì)電路性能的影響。這項(xiàng)研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節(jié)點(diǎn)FinFET設(shè)計(jì)的源漏尺寸和側(cè)墻厚
關(guān)鍵字：泛林 5nm FinFET

為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì)，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)著眼。基本上半導(dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì)看到一種新的突破，因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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中芯國(guó)際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬(wàn)片

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶不斷進(jìn)來(lái)。在最近的財(cái)報(bào)電話會(huì)上，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來(lái)?！备鶕?jù)之前的報(bào)道，中芯國(guó)際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進(jìn)型的12nm，目前1.5萬(wàn)片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 FinFET

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
關(guān)鍵字： 3nm FinFET GAA FET 晶體管

新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

要點(diǎn)：用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等兩家公司之間的長(zhǎng)期合作已成功實(shí)現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
關(guān)鍵字：新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP

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FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

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大嘴業(yè)話：代工兩極分化會(huì)不會(huì)改變整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
大嘴業(yè)話：GF14年力推14nm 攪動(dòng)IC制程

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行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電，推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

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