行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電，推出汽車(chē)級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

全球領(lǐng)先汽車(chē)處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車(chē)嵌入式MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）。在向軟件定義汽車(chē)（SDV）的過(guò)渡中，汽車(chē)廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件升級(jí)。利用16納米FinFET技術(shù)將恩智浦的高性能S32汽車(chē)處理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存儲(chǔ)器MRAM相結(jié)合，為向軟件定義汽車(chē)演進(jìn)打造理想的硬件平臺(tái)。 

Flash存儲(chǔ)器更新20MB的代碼需要約1分鐘時(shí)間，而MRAM只需3秒左右，最大限度地縮短軟件更新帶來(lái)的停機(jī)時(shí)間，汽車(chē)廠商能夠消除模塊長(zhǎng)時(shí)間編程引起的瓶頸。此外，MRAM提供多達(dá)一百萬(wàn)個(gè)更新周期，耐久性超過(guò)閃存和其他新興存儲(chǔ)器技術(shù)的十倍，為汽車(chē)失效缺陷提供高度可靠的技術(shù)。

軟件定義汽車(chē)允許汽車(chē)廠商通過(guò)OTA升級(jí)推出舒適、安全、便捷的新功能，延長(zhǎng)汽車(chē)的使用壽命，增強(qiáng)汽車(chē)的功能性和吸引力，同時(shí)提高收益率?；谲浖墓δ茉谄?chē)中越來(lái)越普遍，更新頻率相應(yīng)增加，MRAM的速度和可靠性也將更加重要。

臺(tái)積電的16納米FinFET嵌入式MRAM技術(shù)超越車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用的嚴(yán)格要求，具有一百萬(wàn)個(gè)更新周期的耐久性，支持回流焊，并且在150℃條件下，數(shù)據(jù)保留長(zhǎng)達(dá)20年。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總裁Kevin Zhang博士表示：“恩智浦的創(chuàng)新人員總能迅速挖掘臺(tái)積電新工藝技術(shù)的潛力，尤其是在高要求的汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域中。我們非常高興能看到恩智浦的S32平臺(tái)中采用我們先進(jìn)的MRAM技術(shù)，賦能新一代軟件定義汽車(chē)?！?/p>

恩智浦執(zhí)行副總裁兼汽車(chē)處理器業(yè)務(wù)總經(jīng)理Henri Ardevol表示：“恩智浦與臺(tái)積電成功合作了數(shù)十載，始終如一地為汽車(chē)市場(chǎng)交付高質(zhì)量嵌入式存儲(chǔ)器解決方案。MRAM是恩智浦S32汽車(chē)解決方案產(chǎn)品組合的創(chuàng)新助力，將在新一代汽車(chē)架構(gòu)中發(fā)揮重要的支持作用?！?nbsp;

上市時(shí)間

試驗(yàn)樣品已生產(chǎn)完成，正在評(píng)估中。首批樣品計(jì)劃于2025年初為主要客戶提供。