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3nm finfet 文章 最新資訊

ARM與臺積電達成FinFET技術合作里程碑

  • 　　ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進一步提升未來行動與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運算應用的產(chǎn)品，此次合作展現(xiàn)了雙方在臺積公司FinFET制程技術上，共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。 　　藉由 ARM Artisan 實體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(Open Innov
  • 關鍵字： ARM  FinFET  

三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

  • 　　亮點： 　　該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC) 　　該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎 　　測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用 　　為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(IP)及服務的全球性領先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關鍵
  • 關鍵字： Synopsys  FinFET  

三星領先臺積 14納米進化

  • 　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。 　　韓聯(lián)社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術的14納米測試芯片。 　　三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術可提升電子裝置效能并降低耗電量，進一步改善行動環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構
  • 關鍵字： 三星  FinFET  14納米  

ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案

  • 　　半導體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結構，進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 　　就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關鍵元件參數(shù)對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術在先進半導
  • 關鍵字： 半導體  FinFET  ALD   

導入FinFET制程技術　聯(lián)電14奈米后年亮相

  • 　　聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。 　　聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。 　　聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現(xiàn)，而此
  • 關鍵字： 聯(lián)電  處理器  14nm  FinFET  

Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片

  • 　　電子設計企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。 　　 ? 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議，共同開發(fā)14nm以及更先進的半導體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統(tǒng)就是三方合作的一個重要里程碑。 　　這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設計IP的
  • 關鍵字： Cadence  芯片  FinFET  

臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

  • 　　臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。 　　臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術對晶片設計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。 　　臺積電的目標提前在
  • 關鍵字： 臺積電  FinFET  ARM V8  

GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

  •  　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。 　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領先的非平面結構，它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 　　Noonen表示：“201
  • 關鍵字： FinFET  14nm   

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

  • 臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節(jié)點，而且可能會在2015年下半年量產(chǎn)。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數(shù)。
  • 關鍵字： 臺積電  FinFET   

基于SOI和體硅的FinFET對比研究

  • 隨著半導體產(chǎn)業(yè)向22納米技術節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
  • 關鍵字： SOI  體硅  FinFET  

英特爾Finfet晶體管架構未到瓜熟蒂落時

  • 　　自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)(至少到下一個節(jié)點制程時)仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實現(xiàn)到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
  • 關鍵字： 臺積電  Finfet  
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