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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm finfet

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV

  • 　　隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數(shù)制程技術(shù)的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 　　根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成

  • 　　FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計企業(yè)的探討重點。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進化，對RF技術(shù)革新的強烈需求，對RF SOI技術(shù)帶來更廣大的市場前景。 　　FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
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格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計算的時代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！　?4HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計算密集型處理需求的應(yīng)用?！　∵@項全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
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張忠謀:3nm制程會出來 2nm后很難

  • 　　臺積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續(xù)10年，3nm制程應(yīng)該會出來，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 　　張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來臺時，兩人曾針對摩爾定律還可延續(xù)多久進行討論，他當(dāng)時回答還有15年，貝瑞特較謹(jǐn)慎回答，大概還有10年。 　　現(xiàn)在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當(dāng)時的答案都錯了;他指出，目前大膽預(yù)測摩爾定律可能再有10年。 　　張忠謀表示，臺積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會出來，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來也是會出來。 　　張忠謀
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臺積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光（EUV）微影設(shè)備

  • 　　極紫外光(EUV)微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備，由荷商ASML獨家生產(chǎn)供應(yīng)，目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。 　　EUV設(shè)備賣價極高，原因是開發(fā)成本高，因此早期ASML為了分?jǐn)傞_發(fā)風(fēng)險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發(fā)完成，臺積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。 　　有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設(shè)備是利
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臺灣：AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)

  • 　　人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點，工研院 IEK 計劃副組長楊瑞臨表示，AI 終端載具數(shù)量將遠(yuǎn)小于手機，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)恐將增大，芯片業(yè)者應(yīng)朝系統(tǒng)與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)計劃副組長楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數(shù)據(jù)收集與決策兩部分;其中，數(shù)據(jù)收集方面，因需要大量運算，應(yīng)在云端進行。 　　決策方面，目前各國仍以云端發(fā)展為主，楊瑞臨表示，未來決策能否改由終端執(zhí)行，是各界視為臺灣發(fā)展 AI 的一大機會。 　　只是無人機、自駕車、機器人與虛擬現(xiàn)實(VR)/擴增實境
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臺灣：臺積電在臺灣投資3nm廠是必然

  • 　　近期因限電危機，傳出臺積電3nm廠可能轉(zhuǎn)往美國投資，臺灣“行政院長”林全表示，「臺積電在臺灣投資3nm廠是必然的」，現(xiàn)在的問題只是落腳哪里。 　　林全表示，包括臺南、高雄都拚命爭取臺積3nm廠落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案，但地方政府就沒有這么大的回響，或許和企業(yè)形象、經(jīng)營成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 　　外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛臺積電一家公司，林全反駁，政府對企業(yè)是「一視同仁的，不會有差別待遇」。 他以臺塑為例表示，臺塑遇到最大的挫折就是環(huán)評被退回，因此他去年上任后就
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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模擬技術(shù)的困境

  • 　　在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現(xiàn)象可能正在改變?！　∥覀兩钤谝粋€模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)。混合信號解決方案過去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過程?！　∧M技術(shù)衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

  • 　　格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)?！　?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術(shù)積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)
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SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET對你來說意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢？
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ALD技術(shù)在未來半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用

  • 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應(yīng)用。
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FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

  • 　　隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因為它對擺設(shè)和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)
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英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù)　22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

  • 　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位，市場上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來。 　　據(jù)EE Times Asia報導(dǎo)，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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