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3nm finfet 文章 最新資訊

三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm

  • 　　5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！　?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導體工藝技術。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！　∪潜硎?，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
  • 關鍵字： 三星  芯片  3nm  

從7nm到3nm GAA，三星為何激進地采用EUV？

  • 半導體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當龐大的研發(fā)費用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
  • 關鍵字： 三星  EUV  3nm   

GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點基礎上，向外擴展應用領域

  • 　　自從28納米制程節(jié)點向下轉進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉進16/14納米先進制程過程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權，更成功將該節(jié)點制程落實在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
  • 關鍵字： GF  FinFET  

格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來要發(fā)大招？

  • 和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： 格芯  7nm  FinFET  

FinFET對動態(tài)功耗的影響

  • 現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀錄的速度實現(xiàn)了從設計到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因為與平面器件相
  • 關鍵字： FinFET  動態(tài)功耗  

臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

  • 　　臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準了一項約45億美元的資本預算。未來將會使用該預算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱，臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?！　「鶕?jù)臺灣《經(jīng)濟日報》的報道，臺灣相關部門通過了「臺南科學園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」，這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?！　?jù)悉，臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
  • 關鍵字： 臺積電，3nm，芯片  

中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導入，Q2營收同比增長18.6%

  • 　　9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進入到客戶導入階段，可以預見量產(chǎn)目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領先于國內的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離?！　「鶕?jù)中芯國際財報，第二季度不含技術授權收入(授權收入)確認的銷售額為8.379億
  • 關鍵字： 中芯國際  14納米  FinFET  

利用FinFET優(yōu)勢的六種方式

  • 為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢， 必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結合，其中包括了標準
  • 關鍵字： FinFET  synopsys  

FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗

  • 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
  • 關鍵字： FinFET  布線  

三星侵犯大學專利，賠償金或高達4億美元

  • 　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元?！　?jù)了解，韓國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發(fā)了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術的發(fā)明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性?！　?jù)悉
  • 關鍵字： 三星  FinFET  

掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

  • 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
  • 關鍵字： 芯片  FinFET  

胡正明：技術創(chuàng)新可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍

  • 　　“半導體市場正在經(jīng)歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創(chuàng)新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時表示。　　自1965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個多世紀的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀以來，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機?！　『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導體帶來新契機。 2011年5月
  • 關鍵字： FinFET  7納米  

7nm或將引爆2018年手機市場，國產(chǎn)手機岌岌可危

  • 在2018年，如果蘋果新一代產(chǎn)品應用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或將成為一場腥風血雨;而對于整個產(chǎn)業(yè)來說，或將成為轉折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。
  • 關鍵字： 7nm  FinFET  

aveni S.A. 運用創(chuàng)新電鍍化學，將銅互連擴展至5nm及以下節(jié)點以實現(xiàn)BEOL集成

  • 　　為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術與化學材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中，在5nm及以下技術節(jié)點可繼續(xù)使用銅?！　　钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?！　∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
  • 關鍵字： aveni  3nm  

暗流涌動 晶圓市場強者生存

  • 目前晶圓代工市場三強分立，Intel、三星、臺積電都在積極備戰(zhàn)之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地，擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動，鹿死誰手猶未可知。
  • 關鍵字： 晶圓  3nm  
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