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3nm finfet 文章 最新資訊

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

  • 　　比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。 　　隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。 　
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Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術(shù)參考流程

  • Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設(shè)計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設(shè)計(DFM)平臺。
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FinFET新技術(shù)對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響

  • 　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設(shè)計，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 　　FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
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FinFET引爆投資熱　半導體業(yè)啟動新一輪競賽

  • 　　半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術(shù)，對制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術(shù)，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 　　過去數(shù)10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 　　然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)

  • 　　日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設(shè)計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 　　SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? 　　Kengeri ：眼下，我們正在談論的28nm到2
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爭搶1xnm代工商機 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。 　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時刻設(shè)定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀

  • 　　英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計咨詢公司之一的英盛德認為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設(shè)計商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
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英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀

  • 　　根據(jù)美國商業(yè)資訊報導，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設(shè)計商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
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晶圓廠的FinFET混搭制程競賽

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導線制程的方式達 成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進入 FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導線制程的方式達成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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FinFET改變戰(zhàn)局 臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

  • 　　晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。 　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀提到，今年臺積電雖屢創(chuàng)季營收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。 　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對
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聯(lián)華與新思攜手 加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)

  • 聯(lián)華電子與全球半導體設(shè)計制造提供軟件、IP與服務的領(lǐng)導廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫的IP組合及 Galaxy?實作平臺的一部分-寄生StarRC?萃取方案，成功完成了聯(lián)華電子第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設(shè)計定案。
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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)

  • 聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。
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里昂喊買臺積電 先進技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標價上看140元

  • 　　里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報率，給予買進，并將目標價從126元上調(diào)140元。 　　FinFET制程部分，里昂證券指出，F(xiàn)inFET技術(shù)是半導體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預計在2015年前，積極搶進16奈米FinFET晶片制造 　　里昂證券也指
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16納米/14納米FinFET技術(shù)：最新最前沿的電子技術(shù)

  • FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術(shù)，同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
  • 關(guān)鍵字： Cadence  FinFET  晶圓  201304  
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