聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)

　　聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。

　　IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總Gary Patton表示：「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟伙伴可整合運用我們的專業(yè)知識，團隊研究合作與創(chuàng)新的技術(shù)研發(fā)，藉此滿足對先進半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品與日俱增的需求。聯(lián)華電子的加入，將使聯(lián)盟的實力更加強大?！?/p>

　　聯(lián)華電子執(zhí)行長顏博文表示：「IBM為眾所公認(rèn)的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。聯(lián)華電子十分高興與IBM在先進制程領(lǐng)域攜手合作，貢獻我們多年來開發(fā)高競爭力制造技術(shù)所累積的經(jīng)驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯(lián)華電子肩負(fù)著適時推出尖端制程，以實現(xiàn)客戶次世代芯片設(shè)計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術(shù)專業(yè)來縮短我們10奈米與FinFET 的研發(fā)周期，為聯(lián)華電子與我們的客戶締造雙贏。」

　　聯(lián)華電子與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支持與know-how，聯(lián)華電子將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14奈米FinFET技術(shù)，針對行動運算與通訊產(chǎn)品，提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計劃開發(fā)10奈米制程基礎(chǔ)技術(shù)，以滿足聯(lián)華電子客戶的需求。聯(lián)華電子將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發(fā)計劃，而聯(lián)華電子14奈米FinFET與10奈米未來的制造，則將在聯(lián)華電子位于臺灣南科的研發(fā)中心進行。