FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響

　　FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。

　　FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長(zhǎng)，對(duì)于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，成為了業(yè)內(nèi)廠商大力競(jìng)爭(zhēng)的新著力點(diǎn)。

　　電晶體結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢(shì)是越來越小，保證高效便宜的半導(dǎo)體晶片被研發(fā)。但是隨著電晶體在空間上的線性微縮逐漸達(dá)到極限，各種問題和挑戰(zhàn)也就顯現(xiàn)出來，尤其是通道閘極控制效果降低、漏電流增加、短通道效應(yīng)出現(xiàn)等問題。這些問題會(huì)帶來嚴(yán)重的后果，如電晶體不當(dāng)關(guān)閉、電子裝置待機(jī)耗電量增加等。這對(duì)于目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電子產(chǎn)業(yè)來說，無疑是無法滿足需求的。

　　而鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)正是在這樣的狀況下應(yīng)運(yùn)而生，能夠通過三層閘極來有效壓制關(guān)閉狀態(tài)漏電流，解決上述問題。FinFET技術(shù)能夠通過驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)化為低功耗和高效能，而且晶粒尺寸也被縮小。FinFET技術(shù)對(duì)移動(dòng)設(shè)備的來說也變得日益重要。自2011年英特爾推出商業(yè)化的22納米節(jié)點(diǎn)工藝的FinFET,目前FinFET已經(jīng)在向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)發(fā)展，并帶動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體制造技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。