愛發(fā)科發(fā)布多款半導體制造利器，引領先進制程技術革新

創(chuàng)新技術賦能先進制造，推動產(chǎn)業(yè)效率革命?

2025年3月27日，Semicon China 2025期間，全球領先的真空設備制造商愛發(fā)科集團正式推出三款面向先進半導體制造的核心設備：?多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX?、?針對12英寸晶圓的?集群式先進電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H?。此次發(fā)布的產(chǎn)品以“靈活高效、智能協(xié)同”為核心設計理念，覆蓋晶圓制造、化合物半導體及封裝等關鍵領域，助力客戶實現(xiàn)技術突破與產(chǎn)能升級。

多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX：靈活智造，釋放產(chǎn)能極限

ENTRON-EXX以?“靈活布局”、“高效生產(chǎn)”、“智能運維”?三大特性重新定義薄膜沉積工藝：

ENTRON-EXX適用于半導體邏輯芯片、存儲器（包括DRAM、NAND及新一代非易失性存儲器）以及封裝等各類尖端產(chǎn)品的生產(chǎn)。

●   靈活模塊化設計?：采用即插即用平臺設計，徹底解決了原機型因獨立布線設計導致的設備連接復雜問題。新設計不僅縮短了設備啟動時間，更使模塊添加與更換更加便捷，模塊更換時間較原機型縮短50%；該系統(tǒng)最多可配置12個模塊，包括8個工藝模塊、2個Degas模塊，1個冷卻模塊和1個對準模塊。相較于EX，升級的中間冷卻與對準模塊能更好地滿足客戶多元化需求。

●   卓越生產(chǎn)力表現(xiàn)?：通過靈活配置，系統(tǒng)能最大限度滿足客戶多樣化需求，實現(xiàn)潔凈室空間的高效利用。相較ENTRON-EX，單平臺占地面積減少10%，組合平臺減少5%。

●   智能數(shù)據(jù)賦能?：新一代ENTRON-EXX顯著提升了數(shù)據(jù)采集能力：通過增加傳感器數(shù)量，數(shù)據(jù)采集周期縮短至原機型的1/10；系統(tǒng)能采集更精準、更海量的數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)對設備運行狀態(tài)的高效分析。

集群式先進電子制造系統(tǒng)uGmni-300：12英寸晶圓一站式解決方案

uGmni系列以“統(tǒng)一傳輸核心”為核心，打造12英寸晶圓高度集成的電子制造平臺，實現(xiàn)了濺射、刻蝕、去膠、CVD不同工藝的靈活搭配，使這些工藝可以在統(tǒng)一的傳送核心上實現(xiàn)統(tǒng)一調(diào)配，大大提升了制造的靈活性和效率。

●   全工藝兼容?：支持濺射、刻蝕、去膠、PE-CVD等工藝模塊自由組合，滿足多樣化需求。

●   大尺寸基板支持?：可處理300mm基板，適配先進封裝、MEMS及光電器件制造。

●   智能協(xié)同管理?：統(tǒng)一傳輸界面與標準化組件設計，減少備件庫存。

特別值得一提的是，uGmni不僅支持12寸晶圓，對于使用8寸片的產(chǎn)線客戶，愛發(fā)科也提供了uGmni-200的設備選項，可以根據(jù)客戶需求對應不同尺寸的基板。在性能指標方面，能夠為客戶提供詳細的參考數(shù)據(jù)。

同時，uGmni可以根據(jù)客戶的實際工藝需求，提供4邊的、6邊的、7邊、8邊等不同形狀的對接方案型號可供選擇。

離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H：突破束流極限，賦能精密制造新高度

SOPHI-200-H是一款為電子器件設計的高性能設備，可支持SiC、Si基功率器件  MEMS 及Smart cut工藝。無論是超薄基板還是特殊材料，它都能輕松應對，為半導體制造行業(yè)提供全方位的解決方案。無論是超薄基板還是特殊材料，它都能輕松應對，為半導體行業(yè)提供全方位的解決方案。

高精度與高效率的完美結合：在生產(chǎn)力方面，SOPHI-200-H實現(xiàn)了重大突破。高壓終端升級后，束流強度實現(xiàn)了倍增，尤其在低能區(qū)表現(xiàn)顯著優(yōu)化。束流平行度可精準控制在0.1度以內(nèi)，確保工藝的極致均勻性。

在工藝性能上，SOPHI-200-H同樣表現(xiàn)優(yōu)異：具備nA至mA量級的束流穩(wěn)定性，單一設備即可覆蓋從高到低的全束流工藝，大幅降低設備切換成本，提升生產(chǎn)效率。

SOPHI-200-H展現(xiàn)了極強的靈活性：可穩(wěn)定處理50μm至2000μm不同厚度基板，滿足多樣化需求。同時兼容玻璃基板及TAIKO基板，大大擴展了應用場景。

SOPHI-200-H以其高性能、高穩(wěn)定性和廣泛兼容性，為功率器件和電子器件制造提供了完善的解決方案。

?市場價值與行業(yè)展望

愛發(fā)科此次發(fā)布的三大創(chuàng)新設備，直擊半導體制造中的效率、靈活性與工藝集成痛點，尤其為碳化硅、氮化鎵等化合物半導體及先進封裝領域提供關鍵技術支撐。愛發(fā)科通過智能化、模塊化設計，助力客戶應對“小批量、多品類”的柔性制造趨勢，加速從研發(fā)到量產(chǎn)的轉化周期。這不僅展現(xiàn)了其在真空制造領域的技術領導力，更彰顯了以客戶需求為核心的研發(fā)理念。

愛發(fā)科中國市場總監(jiān)王禹表示：“愛發(fā)科始終勇于創(chuàng)新、竭盡所能。在半導體設備領域，愛發(fā)科有一只專業(yè)的專家團隊，客戶有任何設備上的問題，愛發(fā)科都將全力解決；有任何改進建議，我們都虛心接受并積極改進。在未來，愛發(fā)科愿意與業(yè)內(nèi)先鋒一起，披荊斬棘，共同克服半導體先進制造的難關?！?/p>

通過靈活高效的模塊化設計、智能協(xié)同的工藝整合，以及覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案，愛發(fā)科正助力全球客戶突破技術瓶頸，加速邁向“智造未來”。

未來，愛發(fā)科將繼續(xù)深耕真空技術與半導體制造工藝的融合創(chuàng)新，攜手行業(yè)伙伴推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級，為新能源、人工智能等前沿領域提供堅實的技術底座。