首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3nm finfet

3nm finfet 文章 最新資訊

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
  • 關(guān)鍵字： FinFET  FD-SOI  

GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設(shè)計(jì)而強(qiáng)化了14nm FinFET的設(shè)計(jì)架構(gòu)

  • 　　GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開(kāi)發(fā)的強(qiáng)化過(guò)的設(shè)計(jì)架構(gòu)，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的客戶的進(jìn)程上達(dá)到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。 　　GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開(kāi)發(fā)出的新型設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，形成一個(gè)數(shù)字設(shè)計(jì)“入門套件”，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)行物理實(shí)
  • 關(guān)鍵字： GLOBALFOUNDRIES  FinFET  

14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)暗潮洶涌

  • 　　雖然臺(tái)積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個(gè)大客戶，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設(shè)備可以大部互通的產(chǎn)能擴(kuò)充彈性優(yōu)勢(shì)，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍(lán)圖。 　　反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺(tái)積電客戶結(jié)構(gòu)從以IC設(shè)計(jì)公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨(dú)霸半遍天，加上主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也開(kāi)始爭(zhēng)取到重要
  • 關(guān)鍵字： FinFET  晶圓  

三星14納米FinFET處理器揭密

  • 　　Exynos 7420已經(jīng)將與英特爾在2014年10月發(fā)表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
  • 關(guān)鍵字： 三星  FinFET  

Synopsys Galaxy設(shè)計(jì)平臺(tái)支撐了90%的FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn)

  • 　　亮點(diǎn)： 　　 Galaxy Design Platform設(shè)計(jì)平臺(tái)被用于90%的FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn) 　　 強(qiáng)勁的平臺(tái)采用率彰顯了Synopsys在FinFET數(shù)字和定制設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)工具領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)先性 　　 所有的FinFET晶圓代工廠都已經(jīng)使用并認(rèn)證了Galaxy Design Platform 　　新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設(shè)計(jì)平臺(tái)支撐了90%基于FinFET設(shè)計(jì)的量產(chǎn)流
  • 關(guān)鍵字： Synopsys Galaxy  FinFET  

新思科技已支援全球9成FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn)

  • 　　新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)，成功完成超過(guò)100件FinFET投片。 　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導(dǎo)體(H
  • 關(guān)鍵字： 新思科技  FinFET  

Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢(shì)

  • 　　新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)，成功完成超過(guò)100件FinFET投片。 　　包括格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電
  • 關(guān)鍵字： Synopsys  FinFET  

聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)

  • 　　聯(lián)電積極擴(kuò)充28奈米產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年中月產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片，28奈米毛利率將達(dá)平均水準(zhǔn)。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)第2季進(jìn)行第2代14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶產(chǎn)品陸續(xù)完成設(shè)計(jì)定案(tape out)，明年將開(kāi)始拉升產(chǎn)能進(jìn)入量產(chǎn)階段。 　　聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶晶片進(jìn)入量產(chǎn)，并有逾10家客戶完成設(shè)計(jì)定案并展開(kāi)試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營(yíng)收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴(kuò)
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  三星  FinFET  

Cadence與海思在FinFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域擴(kuò)大合作

  • 　　益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數(shù)位媒體晶片組供應(yīng)商海思半導(dǎo)體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設(shè)計(jì)領(lǐng)域大幅擴(kuò)增采用Cadence 數(shù)位與客制/類比流程，并于10奈米和7奈米制程的設(shè)計(jì)流程上密切合作。 　　海思半導(dǎo)體也廣泛使用Cadence數(shù)位和客制/類比驗(yàn)證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權(quán)，將于矽中介層基底(silicon interp
  • 關(guān)鍵字： Cadence  海思  FinFET  

三星擬以14納米FinFET制程　守住蘋果、進(jìn)攻臺(tái)積電

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開(kāi)始量產(chǎn)采用14納米FinFET制程技術(shù)的A9芯片，這對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，在搶佔(zhàn)先進(jìn)微細(xì)制程市場(chǎng)以及與蘋果(Apple)合作關(guān)系上，可以說(shuō)是一箭雙雕。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，三星美國(guó)奧斯汀廠傳出已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)采用14納米FinFET技術(shù)的蘋果A9。雖然美國(guó)奧斯汀廠以及韓國(guó)器興廠均擁有FinFET制程的產(chǎn)線，但由于為量產(chǎn)的第一階段，因此先由奧斯汀廠打頭陣。 　　此外分析指出，由于顧及次世代芯片性能資安以及供應(yīng)等問(wèn)題，奧斯汀廠是在蘋果的要求下首先
  • 關(guān)鍵字： 三星  FinFET  14納米  

AMD無(wú)望于2015年推出16nm FinFET芯片

  • 　　時(shí)間一晃又到了2014年的12月份，在辛苦工作了一年之后，大家都在等待著合家團(tuán)圓，而IT行業(yè)也在醞釀著新的一年的改變。最新的消息是，AMD公司的“RedTeam”披露了其明年的APU和GPU規(guī)劃，其中最引人注意的，自然是制程工藝的轉(zhuǎn)變。然而外媒也指出，AMD的16納米FinFET設(shè)計(jì)在2015年登陸主流市場(chǎng)并無(wú)望。 　　AMD首席技術(shù)官M(fèi)arkPapermaster表示：“我公司的FinFET設(shè)計(jì)已經(jīng)起步，但我們并不會(huì)是任何前沿技術(shù)的首個(gè)使用者”。換言
  • 關(guān)鍵字： AMD  FinFET  SoC  

臺(tái)積16納米試產(chǎn)海思處理器明年7月量產(chǎn)

  • 　　臺(tái)積電昨(12)日宣布，完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場(chǎng)效晶體管強(qiáng)化版)全球首顆網(wǎng)通芯片及手機(jī)應(yīng)用處理器試產(chǎn)，預(yù)定本月完成所有可靠性試驗(yàn)，明年7月正式量產(chǎn)。 　　這是臺(tái)積電拓展先進(jìn)制程一大里程碑。業(yè)界認(rèn)為，正值三星再度與臺(tái)積電爭(zhēng)奪蘋果下世代A9處理器訂單之際，臺(tái)積電16納米FinFET+技術(shù)到位后，將進(jìn)一步拉大與三星差距，對(duì)臺(tái)積電而言，A9訂單「有如探囊取物」，最快明年夏天開(kāi)始投產(chǎn)A9芯片。 　　臺(tái)積電昨天不對(duì)單一客戶導(dǎo)入16納米制程狀況置評(píng)，強(qiáng)調(diào)明年底前，估計(jì)將完成近60件產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  FinFET+  

14/16納米FinFET制程

  • 　　行動(dòng)裝置如智慧型手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)于半導(dǎo)體晶片的需求走到超低功耗，制程技術(shù)從28奈米制程，到20奈米制程，將于2015年進(jìn)入第一代3D設(shè)計(jì)架構(gòu)的FinFET制程，也就是14/16奈米世代。 　　臺(tái)積電2015年下半即將量產(chǎn)16奈米世代，英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代，英特爾早一些量產(chǎn)，之后是三星，GlobalFoundries制程技術(shù)將屬于三星陣營(yíng)。 　　臺(tái)積電因?yàn)闉榇罂蛻籼O果生產(chǎn)20奈米制程晶片，因此16奈
  • 關(guān)鍵字： 16納米  FinFET  

Cadence IP組合和工具支持臺(tái)積電新的超低功耗平臺(tái)

  • 　　全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布其豐富的IP組合與數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)工具可支持臺(tái)積電全新的超低功耗(ULP)技術(shù)平臺(tái)。該ULP平臺(tái)涵蓋了提供多種省電方式的多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，以利于最新的移動(dòng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的低功耗需求。 　　為加速臺(tái)積電超低功耗平臺(tái)的技術(shù)發(fā)展，Cadence將包括存儲(chǔ)器、接口及模擬功能的設(shè)計(jì)IP遷移到此平臺(tái)。使用Cadence TensilicaÒ數(shù)據(jù)平面處理器，客戶可以從超低功耗平臺(tái)受益于各種低功耗DSP應(yīng)用，包括影像、永遠(yuǎn)在線的語(yǔ)音、面部識(shí)
  • 關(guān)鍵字： Cadence  臺(tái)積電  FinFET  

Cadence為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合

  • 　　全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。 Cadence所提供的豐富IP組合能使系統(tǒng)和芯片公司在16納米FF+的先進(jìn)制程上相比于16納米FF工藝，獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節(jié)約。 　　目前在開(kāi)發(fā)16 FF+工藝的過(guò)程中，Cadence的IP產(chǎn)品組合包括了在開(kāi)發(fā)先進(jìn)制程系統(tǒng)單芯片中所需的多種高速協(xié)議，其中包括關(guān)鍵的內(nèi)存、存儲(chǔ)和高速互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。IP將在2014年第四季度初通過(guò)測(cè)試芯片測(cè)試。有關(guān)IP
  • 關(guān)鍵字： Cadence  臺(tái)積電  FinFET  
共311條 18/21 |‹ « 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473