英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù)　22納米制程戰(zhàn)場(chǎng)煙硝起

　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開(kāi)發(fā)套件(PDK)在接下來(lái)幾個(gè)月也將陸續(xù)到位，市場(chǎng)上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對(duì)GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類(lèi)芯片而來(lái)。

　　據(jù)EE Times Asia報(bào)導(dǎo)，英特爾稱(chēng)自家22 FFL是市場(chǎng)上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)出來(lái)的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(leakage)較業(yè)界28納米產(chǎn)品低100倍，采用相似于14納米的FinFET技術(shù)，再透過(guò)簡(jiǎn)化互連及設(shè)計(jì)規(guī)則，使其在成本上能與28納米制程技術(shù)抗衡。

　　英特爾資深院士暨制程架構(gòu)與整合部門(mén)主管Mark Bohr就提出了22 FFL漏電流相關(guān)數(shù)據(jù)，包括次臨界漏電流(sub-threshold leakage)、閘極氧化層漏電流(gate oxide leakage)、及接面漏電流(junction leakage)，并指出此三數(shù)據(jù)為影響功耗的關(guān)鍵因子，而該制程技術(shù)擁有比其他主流技術(shù)更低的漏電流。

　　雖然英特爾拒絕提供22 FFL與22納米FD-SOI的具體比較資訊，不過(guò)該公司內(nèi)部已開(kāi)始有為22 FFL所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，也期盼能吸引代工業(yè)客戶(hù)的青睞。英特爾客戶(hù)暨IoT事業(yè)與系統(tǒng)架構(gòu)事業(yè)群總裁Murthy Renduchintala表示，英特爾接下來(lái)在IoT及網(wǎng)路領(lǐng)域?qū)?huì)有更為寬廣的發(fā)展藍(lán)圖，期盼能帶來(lái)差異化的成效。

　　另一方面，臺(tái)積電不久前也才推出全新22納米超低功耗(ULP)制程技術(shù)，據(jù)臺(tái)積電發(fā)言人表示，自家22 ULP技術(shù)將可使射頻(RF)元件更上層樓，在低功耗IoT市場(chǎng)當(dāng)中可說(shuō)相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力。

　　在英特爾發(fā)表22 FFL技術(shù)后不久，GlobalFoundries資深產(chǎn)品管理副總Alain Mutricy便提出回應(yīng)，表示自家制程完全符合生產(chǎn)要求，GlobalFoundries擁有超過(guò)50家來(lái)自移動(dòng)裝置、IoT及車(chē)用裝置這些高成長(zhǎng)領(lǐng)域的客戶(hù)，也能感受到來(lái)自客戶(hù)的強(qiáng)勁需求，。

　　Mutricy近期亦在GlobalFoundries官網(wǎng)的一篇部落格文章中提到，該公司除了計(jì)劃在2020年之前要將德國(guó)Dresden廠的22納米產(chǎn)能提升40%外，2月時(shí)也曾宣布，將于2019年開(kāi)始在大陸的合資廠投入22納米FD-SOI(22FDX)產(chǎn)品生產(chǎn)。

　　Mutricy并指出，在GlobalFoundries的22納米FD-SOI制程規(guī)劃發(fā)表了近兩年后，如今英特爾與臺(tái)積電也推出全新低功耗22納米制程技術(shù)，顯見(jiàn)22納米節(jié)點(diǎn)已開(kāi)始成為半導(dǎo)體業(yè)兵家必爭(zhēng)之地。