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應(yīng)用材料公司推出全新Ioniq? PVD系統(tǒng)助力解決二維微縮下布線電阻難題

應(yīng)用材料公司宣布推出一種全新系統(tǒng)，可改進(jìn)晶體管布線沉積工藝，從而大幅降低電阻，突破了芯片在性能提升和功率降低兩方面所面臨的重大瓶頸。芯片制造商正在利用光刻領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)將芯片制程縮小至3納米及以下節(jié)點(diǎn)。但隨著互連線變細(xì)，電阻呈現(xiàn)指數(shù)級上升，這不僅降低了芯片性能，還增大了功耗。如果該問題無法得到解決，更為先進(jìn)的晶體管帶來的益處將被指數(shù)級上升的布線電阻完全抵消。芯片布線一般指沉積金屬在介電材料上被刻蝕出的溝槽和通孔內(nèi)的過程。在傳統(tǒng)工藝中，布線沉積使用的金屬疊層通常由以下幾部分構(gòu)成：阻擋層用于防止金屬與介電材料
關(guān)鍵字： PVD 布線

ALD技術(shù)在未來半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用

由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： ALD 半導(dǎo)體制造 FinFET PVD CVD

應(yīng)用材料公司推革新液晶顯示器技術(shù)

　　應(yīng)用材料公司日前宣布，推出新的物理氣相沉積(PVD)和電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)，促使超高畫質(zhì)(UHD)電視及高畫素密度屏幕的行動(dòng)裝置邁向新紀(jì)元。　　這項(xiàng)重大轉(zhuǎn)型技術(shù)的關(guān)鍵是新的金屬氧化物與低溫多晶硅(LTPS)材料，可用來制造更快速、更小巧的薄膜晶體管(TFT)，適用于液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)技術(shù)。Applied AKT-PiVot物理氣相沉積和Applied AKT-PX電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積薄膜沉積系統(tǒng)為面板業(yè)者提供高效能、符合成本效益的途徑，帶動(dòng)先進(jìn)材料的
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料電視 PVD

02政策專項(xiàng)“給力”國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)

　　02專項(xiàng)的實(shí)施，對國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)尤其是設(shè)備企業(yè)來說，具有歷史性的意義，因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備的研發(fā)所需資金數(shù)額巨大，若完全由國內(nèi)企業(yè)自己承擔(dān)，恐怕難以承受其重。02重大專項(xiàng)的實(shí)施，不僅表明國家支持半導(dǎo)體支撐業(yè)的決心，而且在資金上更是給了國內(nèi)企業(yè)“真金白銀”的支持。　
關(guān)鍵字： IC PVD

道康寧公司擴(kuò)展表面耐污涂料產(chǎn)品系列

　　道康寧公司今天宣布擴(kuò)展其道康寧® 品牌的表面耐污涂料產(chǎn)品系列。新系列包含道康寧® 2634P產(chǎn)品，呈無溶劑球狀，其可通過物理氣相沉積 (PVD) 的方式來使用。　　經(jīng)常受到觸摸的表面很容易受到污染，包括難以清除的指印、皮膚油脂、汗液、污垢和化妝品等。道康寧® 品牌的表面耐污涂料可運(yùn)用于許多底材，包括玻璃、塑料、金屬和膜類，其設(shè)計(jì)目的是減少指印及其他污垢的附著，同時(shí)為要求嚴(yán)苛的高頻度接觸面的電子產(chǎn)品，例如便攜式電子設(shè)備和便攜式電腦顯示屏等，提供長期的、易于清潔的性能和極佳的耐
關(guān)鍵字：道康寧 PVD 涂料

32nm節(jié)點(diǎn)的PVD設(shè)備暗戰(zhàn)？

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低谷擋不住技術(shù)前進(jìn)的腳步。近期兩大設(shè)備廠商Applied Materials和Novellus相繼推出了新型PVD機(jī)臺，目標(biāo)均鎖定為32nm及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。　　5月28日，設(shè)備巨頭Novellus宣布開發(fā)出HCM(中空陰極磁電管)PVD技術(shù)，稱為IONX XL。該機(jī)臺可滿足3Xnm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的薄阻擋層淀積，主要的服務(wù)對象為存儲器制造廠商。由于在3Xnm節(jié)點(diǎn)，存儲器的CD相比邏輯器件要小30%，存儲器的銅互連中將更多的采用高深寬比的結(jié)構(gòu)，這為阻擋層和晶籽層的臺階覆蓋性帶來了挑戰(zhàn)。　　
關(guān)鍵字： Novellus 半導(dǎo)體 PVD 32nm

應(yīng)用材料公司推出Extensa PVD系統(tǒng)

　　近日，應(yīng)用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理氣相沉積）系統(tǒng)，這是業(yè)界唯一在亞55納米存儲芯片銅互聯(lián)的關(guān)鍵阻擋層薄膜沉積工藝中具有量產(chǎn)價(jià)值的系統(tǒng)。Extensa系統(tǒng)獨(dú)特的Ti/TiN工藝技術(shù)使擴(kuò)散阻擋薄膜具有高水準(zhǔn)的階梯覆蓋率，整塊硅片上薄膜厚度的不均勻性<3%。同其他同級別競爭對手的系統(tǒng)相比，它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。　　應(yīng)用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品部總經(jīng)理Prabu Raja表示：“由于存儲單元的高電壓和高
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料 PVD 存儲芯片 Extensa

英特爾意欲“克隆”芯片廠設(shè)備？

　　英特爾曾試圖向自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)領(lǐng)域引入“標(biāo)準(zhǔn)平臺”或架構(gòu)?，F(xiàn)在，該公司暗中希望把類似的有爭議概念用于CVD、蝕刻、PVD和其它前端芯片廠設(shè)備。這個(gè)概念可能會(huì)引起關(guān)注，并可能改變芯片廠設(shè)備產(chǎn)業(yè)的趨勢。如果廣為流行，它也可能困擾各種芯片廠設(shè)備供應(yīng)商。　　目前，半導(dǎo)體制造設(shè)備生產(chǎn)商開發(fā)設(shè)備，其中包括平臺、工藝模塊和配套軟件。英特爾希望在其各個(gè)工廠中擁有一種通用和標(biāo)準(zhǔn)的“真空處理平臺”，這可能在業(yè)內(nèi)引起震動(dòng)。按英特爾的設(shè)想，芯片制造設(shè)備供應(yīng)商只需為這個(gè)通用平臺設(shè)計(jì)和提供各種即插即用的處理模塊。　
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 英特爾芯片 PVD 消費(fèi)電子

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)：后發(fā)優(yōu)勢寄望技術(shù)創(chuàng)新

　　據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2006年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)和半導(dǎo)體材料業(yè)的市場總額分別為2490億美元、410億美元和360億美元。2007年，全球半導(dǎo)體總產(chǎn)能將比2006年增加17%。從2000年到2007年，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)總值增加了859%，增長速度居全球首位，消費(fèi)類電子產(chǎn)品成為半導(dǎo)體市場主要的推動(dòng)力量。市場需求為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了歷史性的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇與空間。但是，我們也應(yīng)該看到，我國整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力、可持續(xù)發(fā)展能力和市場核心競爭力都亟待提高。從設(shè)計(jì)到制造到設(shè)備材料，特別是設(shè)備
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體 IC PVD 模擬IC 電源

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