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ALD技術(shù)在未來半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用

  • 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： ALD  半導(dǎo)體制造  FinFET  PVD  CVD  

Altatech Semiconductor獲得德國科研機(jī)構(gòu)的CVD設(shè)備訂單

  • 　　Altatech Semiconductor獲得了一份多功能AltaCVD平臺訂單，該訂單來自德國慕尼黑Fraunhofer Research Institution。該200mm AltaCVD系統(tǒng)可用于等離子體增強(qiáng)CVD工藝，也可用于低于氣壓的CVD工藝，F(xiàn)raunhofer中心將用該設(shè)備在硅晶圓和SOI晶圓上淀積介質(zhì)層。
  • 關(guān)鍵字： Altatech  CVD  

Applied Materials宣布開發(fā)出深寬比高達(dá)30：1的化學(xué)氣相淀積技術(shù)

  • 　　Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)，這種技術(shù)能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱，這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過30：1，比目前工藝對隔離結(jié)構(gòu)的要求高出5倍左右。 　　這項技術(shù)使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術(shù)專利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動到需要填充的各種形狀的結(jié)構(gòu)中
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料  CVD  20nm  

應(yīng)用材料公司推出業(yè)界最高產(chǎn)量CVD工藝主機(jī)

  • 應(yīng)用材料公司推出業(yè)界最高產(chǎn)量CVD工藝主機(jī)－ Applied Producer GT 近日，應(yīng)用材料公司宣布推出業(yè)界最快速最經(jīng)濟(jì)的CVD（化學(xué)氣相沉積）主機(jī) － Applied Producer® GT™，把硅片生產(chǎn)能力提升到了一個新的水平。該產(chǎn)品每小時可處理150片硅片，產(chǎn)量達(dá)到其他競爭系統(tǒng)的兩倍，從而降低了30%的擁有成本，并將單位面積每小時硅片處理數(shù)量提高了50%。Producer GT全面支持所有應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： CVD  單片機(jī)  工業(yè)控制  工藝主機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  應(yīng)用材料公司  工業(yè)控制  
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