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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

  • 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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美光預(yù)計愛達荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財年投運

  • IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

  • 據(jù)韓媒報導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價格15～20％。   臺系內(nèi)存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價格，調(diào)
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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內(nèi)存市場將迎來「超級周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

  • HBM 商機稍縱即逝，需要抓緊時間。
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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中國臺灣AI關(guān)鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局

  • 就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關(guān)鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構(gòu)穩(wěn)定運算處理的要角，更是使用者體驗?zāi)芊駜?yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準備，準備在這些領(lǐng)域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設(shè)計有商機對整個AI運算來說，最關(guān)鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術(shù)供貨商，但在AI ASIC芯片設(shè)計服務(wù)與IP供應(yīng)方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領(lǐng)頭羊的先進業(yè)者。在AI ASIC芯片設(shè)計方面，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣

  • 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優(yōu)化工作負載，從而實現(xiàn)更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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DDR6內(nèi)存新標準將上線

  • 據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標準。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進至21GHz，遠超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標準，同樣支持DDR6標準內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標準的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

  • 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數(shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

  • IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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存儲龍頭計劃興建新工廠！

  • 近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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三星否認HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避

  • 有報導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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