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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

美光高性能內(nèi)存與存儲，推動 AI 豐富殘障人士生活體驗

  • 美光云計算高級業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴重的聽力障礙，即使佩戴助聽器也很難聽清別人在說什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識別他們的唇語，努力理解他們的話語。而當(dāng)多人進行交談時，她常常會感到迷茫。Eric 萌生了一個想法：為何不用祖母的智能手機幫她來“傾聽”呢？他打開手機的記事簿功能，按下麥克風(fēng)按鈕，向她展示了手機如何將他的話轉(zhuǎn)錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現(xiàn)在可以參與到從前無法進行的對話中?！边@也讓我們看到了該技術(shù)如何切實改善了言語、語
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

  • ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

  • 當(dāng)?shù)貢r間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓(xùn)練性能提升高達28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數(shù)據(jù)庫(IMDB)）以及多線程、多核計數(shù)一般計算工作負載的高效處
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消息稱三星電子將從明年 1 月開始向英偉達供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，此前已向 AMD 供貨

  • IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達提供 HBM3。有分析師預(yù)測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績將在明年迅速復(fù)蘇。一些猜測認為，三星電子可能會在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，但由于 AMD 在該市場的主導(dǎo)地位并不大，因此據(jù)說供應(yīng)有限。市場研究公司 Trend Force 預(yù)測，SK 海
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不負期待：與美光相約2023進博會

  • 不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進博會，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟發(fā)展，推動人工智能和5G應(yīng)用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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SK 海力士第三季度虧損大幅收窄，人工智能芯片成救命稻草

  • IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設(shè)備中使用的普通芯片需求持續(xù)低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設(shè)備的 DRAM 芯片的業(yè)務(wù)，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業(yè)務(wù)…… 預(yù)計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續(xù)改善。仍然虧損的 NAN
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

  • ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%

  • IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點技術(shù)，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進的 high-k CMOS 器件技術(shù)，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供 4,800 MT/s 至 7
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3D ToF相機于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢

  • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導(dǎo)入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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有選擇的后摩爾堆疊時代

  • 臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構(gòu)集成制造及相關(guān)研發(fā)的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應(yīng)用的不斷發(fā)展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構(gòu)集成已成為滿足未來高性能計算需求、延續(xù)摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項芯片堆疊技術(shù)的新專利，顯示了該公司在芯片技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實力。這項專利提供了一種簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術(shù)難題。堆疊技術(shù)可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進一步推動芯片技術(shù)的進步。盡管目前該專利與將兩個 14nm 芯片堆疊成
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三星推出其首個LPCAMM內(nèi)存解決方案 開啟內(nèi)存模組新未來

  • 三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器） 市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗證。三星LPCAMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模組）。然而受結(jié)構(gòu)限制，LPDDR需要被直接安裝在設(shè)備的主板上，導(dǎo)致其在維修
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消息稱三星和 SK 海力士改進 HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

  • IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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延續(xù)摩爾定律：先進封裝進入3D堆疊CPU/GPU時代

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