3d 內(nèi)存 文章 進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

內(nèi)存、SSD價格恐崩盤：三星等存儲廠商積壓4個月庫存

• 自Digitimes的最新報道稱，包括三星電子在內(nèi)的主要芯片廠商積壓了多達(dá)四個月的DRAM和NAND庫存。積壓的原因要歸咎于需求疲軟，數(shù)據(jù)中心頂不上，消費級同樣慘淡，當(dāng)然，都是被疫情“拖累”了。雖然因返校季的到來，已經(jīng)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季時間，可如果不降價就企圖消化如此多的庫存、回籠資金，并不現(xiàn)實。這也呼應(yīng)了此前宇瞻總經(jīng)理張家騉的判斷，他當(dāng)時表示，DRAM和NAND存儲芯片供過于求的局面將一直持續(xù)到明年上半年?？紤]到NVIDIA剛剛發(fā)布RTX 30系顯卡、Intel發(fā)布Tiger Lake 11代酷睿處理器以及A
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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺積電展開競爭

• 據(jù)國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進(jìn)芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

• 據(jù)臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設(shè)備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節(jié)
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內(nèi)存、SSD存儲芯片價格年底前要跌10%

• 考慮裝機DIY的用戶們，可以稍安勿躁，好消息拍馬趕到。來自Digitimes的最新報道稱，業(yè)內(nèi)消息顯示，存儲類芯片產(chǎn)品的價格將在今年第四季度環(huán)比下跌10%，注意，這包括但不限于DRAM和NAND。DRAM就是DDR內(nèi)存芯片，NAND就是閃存芯片，換言之，內(nèi)存條、SSD的價格將進(jìn)一步松動。此次價格下探的原因在于庫存擠壓，這與上半年疫情的因素影響有關(guān)。由于四季度是傳統(tǒng)的出貨旺季，包括覆蓋感恩節(jié)、圣誕節(jié)、雙11、雙12等購物狂歡活動，廠商和渠道商們寄望于借此來快速消化庫存，回籠資金。事實上，上周，宇瞻總經(jīng)理張家
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內(nèi)存條價格下降，三星：都是因為中國廠商能夠造存儲芯片了

• 最近一段時間，內(nèi)存條的價格降了不少。這一點據(jù)說主要是因為中國一些廠商，例如合肥長鑫現(xiàn)在也能夠造存儲芯片了，畢竟這種東西以前的確是真正的高科技，中國在這方面一直無法取得突破。發(fā)達(dá)國家的幾個公司能夠壟斷這個存儲芯片的生產(chǎn)，所以價格自然定得很高，最有名的就是三星了。記得三星某一年其他的產(chǎn)業(yè)上虧損了不少，但是他拆東墻補西墻，把存儲這一塊的價格往上漲了不少，結(jié)果那一年三星成功的扭虧為盈。三星能夠如此厲害的掌控整個世界的存儲產(chǎn)業(yè)，就是因為它在這個產(chǎn)業(yè)上幾乎占有絕對壟斷的地位。某一天他想在存儲上賺錢了，他就找一些理由，
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PC 新時代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達(dá) 6.4Gbps，單芯片密度達(dá) 64Gbit

• 作為計算機內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布了下一個主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代，DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時也大大增加了內(nèi)存容量?；谛聵?biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了：頻率、帶寬提升，功耗降低

• 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過一開始會用在服務(wù)器上，后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
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四通道DDR4內(nèi)存超頻新世界紀(jì)錄：讀取超136GB/s

• 無論CPU處理器、GPU顯卡、內(nèi)存，超頻一般都是提升頻率，而十銓科技(Team Group)玩了一把特殊的，超內(nèi)存的讀寫速度。在十銓科技的幫助下，超頻高手LeeGH搭建了一套Intel酷睿i9-9940X 14核心處理器、華碩ROG Rampage VI Extreme Encore(X299)主板組成的平臺，使用四根十銓科技的T-Force Xtreem ARGB DDR4-3200(三星顆粒)，組成四通道配置。最
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打破國外壟斷，全國產(chǎn)3D芯片為機器人“點睛”

從原子的物理世界到0和1的數(shù)字世界，3D視覺“感知智能”技術(shù)是第一座橋梁。我國放量增長的工業(yè)級、消" />

• 傳統(tǒng)機器人只有“手”，只能在固定好的點位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術(shù)大大推動了機器和人的協(xié)作，這也對機器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測量、抓取、移動和避讓物體，機器人首先需要對周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺芯片可以引導(dǎo)機器人完成上述復(fù)雜的自主動作，它相當(dāng)于機器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區(qū)）有限公司（以下簡稱中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經(jīng)在國內(nèi)一家芯片代工廠進(jìn)入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經(jīng)進(jìn)入批
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Melexis 推出汽車級 3D 霍爾效應(yīng)傳感器 IC

• 微電子半導(dǎo)體解決方案全球供應(yīng)商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節(jié)點，這是一款汽車級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應(yīng)提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實現(xiàn)冗余，適用于要求苛刻的場景，例如汽車應(yīng)用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統(tǒng)處理器定義，而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產(chǎn)品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車或工業(yè)控制環(huán)境中集成。
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國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作

• 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設(shè)。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導(dǎo)，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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芯片制造商削減設(shè)備投資額，內(nèi)存價格有望繼續(xù)走高

• 根據(jù)市場研究公司Omdia最新的一份報告顯示,全球?qū)RAM生產(chǎn)設(shè)施的投資額預(yù)計將較上年同期減少13.3%,至178億美元;NAND閃存方面投資將達(dá)267億美元,降幅為5.8%。全球芯片制造商預(yù)計今年將削減對于生產(chǎn)設(shè)施的投資,就如2019年應(yīng)對嚴(yán)重供應(yīng)過剩的市場環(huán)境一般。不過,Omdia也在報告中指出,2021年內(nèi)存市場的投資額可能會回升,包括DRAM設(shè)施投資預(yù)計增長20.8%,至215億美元;NAND閃存投資增長6.2%,至283億美元。對此,一位業(yè)內(nèi)人士表示,“考慮到內(nèi)存投資在下跌周期下跌,在上漲周期
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

• 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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國產(chǎn)長鑫芯片！光威弈PRO 16GB DDR4-3000內(nèi)存條上架

• 日前紫光國芯的DDR4內(nèi)存條出現(xiàn)在京東商城,包括臺式機、筆記本兩種類型,價格方面4GB 129元、8GB 219元,但不清楚內(nèi)存芯片是否為紫光自產(chǎn)。其實今年2月底,長鑫存儲官網(wǎng)就開始公開銷售自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,官方還強調(diào)是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,但因為主要主要面向行業(yè)客戶,沒有公開報價?，F(xiàn)在,主打性價比的內(nèi)存品牌光威(Gloway)邁出了歷史性的一步,官方網(wǎng)站新上架了羿PRO系列內(nèi)存,赫然采用長鑫DDR4內(nèi)存芯片!根據(jù)介紹,光威羿PRO系列內(nèi)存單條容量8G
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長江存儲：128層3D NAND技術(shù)會按計劃在今年推出

• 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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