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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

業(yè)界預(yù)測：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

  • 當(dāng)前低功耗問題仍是業(yè)界關(guān)心重點。根據(jù)國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預(yù)計銷售的AI服務(wù)器需求來看，到2026年，AI行業(yè)可能會呈指數(shù)級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術(shù)官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務(wù)還轉(zhuǎn)向移動和PC設(shè)備，這導(dǎo)致功耗激增，因此這是一個關(guān)鍵的討論話題。因應(yīng)市場需求，目前業(yè)界正積極致力于
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品

  • IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費級固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫性能，預(yù)計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價值數(shù)十億美元

  • IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預(yù)計 HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長率將達到 50%。為了應(yīng)對 HBM 領(lǐng)域的強勁需求，美光調(diào)升了本財年資本支出的預(yù)計規(guī)模，從 75~80 億美
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組臺電腦成本越來越高：除 CPU / GPU 之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤價格也瘋漲

  • IT之家 5 月 20 日消息，各位網(wǎng)友，你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺電腦越來越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價狀態(tài)。固態(tài)硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點，甚至連 DDR5 內(nèi)存的價格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點，簡要介紹如下：固態(tài)硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態(tài)硬盤價格，從 2023 年 10 月左右開
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計今年量產(chǎn)

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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詳解Linux內(nèi)核內(nèi)存管理架構(gòu)

  • 內(nèi)存管理子系統(tǒng)可能是linux內(nèi)核中最為復(fù)雜的一個子系統(tǒng)，其支持的功能需求眾多，如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統(tǒng)計等，而且對性能也有很高的要求。本文從內(nèi)存管理硬件架構(gòu)、地址空間劃分和內(nèi)存管理軟件架構(gòu)三個方面入手，嘗試對內(nèi)存管理的軟硬件架構(gòu)做一些宏觀上的分析總結(jié)。內(nèi)存管理硬件架構(gòu)因為內(nèi)存管理是內(nèi)核最為核心的一個功能，針對內(nèi)存管理性能優(yōu)化，除了軟件優(yōu)化，硬件架構(gòu)也做了很多的優(yōu)化設(shè)計。下圖是一個目前主流處理器上的存儲器層次結(jié)構(gòu)設(shè)計方案。從圖中可以看出，
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點云。當(dāng)在高端GPU上運行時，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時

  • 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機構(gòu)都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競爭加速！

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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TrendForce集邦咨詢：震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤

  • TrendForce集邦咨詢針對403震后各半導(dǎo)體廠動態(tài)更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區(qū)域，加上臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建，內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級。以本次的震度來看，幾乎都是停機檢查后，迅速復(fù)工進行，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報廢，但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
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3d 內(nèi)存介紹

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