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貿(mào)澤電子與ATP Electronics簽訂全球分銷協(xié)議

  • 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷協(xié)議。ATP Electronics是專業(yè)存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案的知名供應(yīng)商。簽訂協(xié)議后，貿(mào)澤將分銷ATP Electronics面向工業(yè)與汽車應(yīng)用的存儲(chǔ)卡、SSD和托管NAND設(shè)備。ATP的工業(yè)固態(tài)硬盤 (SSD) 和模塊具有性能可靠、響應(yīng)迅速、使用壽命長的特點(diǎn)，適用于執(zhí)行關(guān)鍵性任務(wù)。ATP SSD堅(jiān)固耐用，可承受嚴(yán)苛的工作環(huán)境，并且提供多種類型的產(chǎn)品，包括適用
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第二大存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士將削減投資 存儲(chǔ)降價(jià)

  • 芯研所7月15日消息，知情人士透露，全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士考慮將2023年資本支出削減約四分之一至16萬億韓元（約合122億美元），以應(yīng)對(duì)電子產(chǎn)品需求慢于預(yù)期的局面。知情人士稱，SK海力士正基本按計(jì)劃推進(jìn)今年支出約21萬億韓元以建設(shè)DRAM和NAND產(chǎn)能。芯研所采編不過，由于智能手機(jī)、服務(wù)器等各個(gè)領(lǐng)域的芯片需求下降的不確定性，迫使該公司重新考慮明年的擴(kuò)張計(jì)劃。此前據(jù)行業(yè)調(diào)研公司集邦科技的報(bào)告，今年二季度，主要存儲(chǔ)芯片DRAM內(nèi)存的平均合同價(jià)格同比下跌10.6%，為2年來首降，另一種存儲(chǔ)芯片NA
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長江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

  • 近日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 這兩年，長江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

  • 近日，有消息稱，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢姡瑖a(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

  • 中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

  • 頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

  • 比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

  • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。         
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

  • 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
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美光GDDR6X進(jìn)一步提升帶寬和容量

  • 16Gb內(nèi)存版本實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的 24Gb/秒速率，是游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者的理想之選2022年4月18日，上?！獌?nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商?Micron?Technology， Inc.，今日宣布量產(chǎn)全新的 16Gb 容量 GDDR6X 內(nèi)存，并已搭載于NVIDIA(英偉達(dá)) GeForce RTX 3090 Ti 顯卡。新款 GDDR6X 內(nèi)存為美光獨(dú)有產(chǎn)品，容量較上一代 8Gb 版本翻了一倍，性能提升高達(dá) 15%。容量和性能的提升意味著終端用戶可在游戲和內(nèi)容創(chuàng)作等內(nèi)存密集應(yīng)用中體驗(yàn)
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微處理器、單片機(jī)及其外設(shè)：處理還是控制？

  • 每項(xiàng)新應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要一個(gè)單片機(jī)或微處理器。當(dāng)在兩者之間選擇其一時(shí)，需要考慮一些因素。以下是微處理器、單片機(jī)以及異構(gòu)架構(gòu)的概述。
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史上第一次5位數(shù)！DDR5內(nèi)存頻率突破10000MHz

  • 　　DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無限的。此前華碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現(xiàn)在終于突破了10000MHz！　　這也是內(nèi)存頻率第一次達(dá)到五位數(shù)字，進(jìn)入了10GHz+時(shí)代?！　∵_(dá)成這一成就的是Kovan Yang領(lǐng)銜的微星超頻團(tuán)隊(duì)成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運(yùn)行在了5001.8MHz的基礎(chǔ)頻率，等效于DDR5-10004。　　為了如此之高的頻率，內(nèi)存時(shí)序也放寬到了史無前例的72-126
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8533Mhz的LPDDR5X內(nèi)存，未必有你想的那么快

  • 經(jīng)常關(guān)注我們?nèi)咨畹呐笥芽赡苓€記得，對(duì)于5G手機(jī)來說高速的內(nèi)存和閃存非常重要。一方面，這是因?yàn)榫W(wǎng)速的增加使得在線視頻、大型手游的品質(zhì)可以越做越高，對(duì)手機(jī)的IO吞吐性能提出了更高要求；另外一方面，根據(jù)國際電聯(lián)的要求，5G時(shí)代的最終目標(biāo)是達(dá)到20Gbps的網(wǎng)絡(luò)帶寬，這就意味著手機(jī)至少也得具備與之相應(yīng)的內(nèi)存和閃存讀寫速度，才有可能充分發(fā)揮高速網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢。正因如此，自2019年秋季國內(nèi)市場5G正式商用以來，各上游廠商都在快速迭代手機(jī)的內(nèi)存、閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。例如，2019年秋季的驍龍855+，使用的還是LPDDR4
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