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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

要漲價(jià)？?jī)?nèi)存、閃存同時(shí)需求大漲

  • 這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來(lái)越便宜。不過(guò)，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對(duì)疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場(chǎng)在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來(lái)到相對(duì)低點(diǎn)，因此 預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場(chǎng)需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
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3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

  • 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l  這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購(gòu)的“魔力”到底是什么？

  • 由于各大企業(yè)對(duì)布局AI領(lǐng)域的興趣激增，同時(shí)，SK海力士在用于生成式AI領(lǐng)域的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）DRAM方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位，其二季度用于AI領(lǐng)域的高性能DRAM銷售增長(zhǎng)強(qiáng)勁，對(duì)高端DRAM的需求增長(zhǎng)了一倍多。繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu)SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國(guó)上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Intel傲騰內(nèi)存死而不僵：再活3個(gè)月

  • 2022年9月底，Intel宣布徹底終結(jié)Optane傲騰業(yè)務(wù)，包括SSD固態(tài)硬盤、PMem持久內(nèi)存兩大產(chǎn)品線，但是現(xiàn)在，傲騰內(nèi)存還要再掙扎一下。Intel原計(jì)劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內(nèi)存100系列，但是現(xiàn)在，Intel將截止期限延長(zhǎng)到了12月29日，多供貨3個(gè)月。同時(shí)，Intel建議客戶，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時(shí)之需。不過(guò)，Intel并未解釋延長(zhǎng)出貨期限的原因，不知道是客戶仍有需求，還是庫(kù)存太多清不完？傲騰持久內(nèi)存的地位介于傳統(tǒng)DIMM內(nèi)存、傲騰SSD之間，將數(shù)據(jù)比特保存在
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DRAM迎來(lái)3D時(shí)代？

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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RAM 是如何工作的？

  • 計(jì)算機(jī)關(guān)閉時(shí)，RAM 中存儲(chǔ)的信息會(huì)丟失，而長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備（SSD 或 HDD）中的數(shù)據(jù)會(huì)保留。
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2023 年全球半導(dǎo)體收入將下降 11%

平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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3d 內(nèi)存介紹

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