v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

SK 海力士新設(shè) AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門(mén)。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）上漲7%，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達(dá)176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，推升價(jià)格季增近15%，消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國(guó)手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫(kù)存策略，訂單大量減少，第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響，合約價(jià)反
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線(xiàn)

據(jù)韓媒報(bào)道，三星近期將開(kāi)始銷(xiāo)售前端和后端生產(chǎn)線(xiàn)的舊設(shè)備，其中包括位于中國(guó)西安的NAND工廠。報(bào)道稱(chēng)，三星近期正在半導(dǎo)體部門(mén)（DS）實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線(xiàn)調(diào)整，并正在考慮出售其中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)的舊設(shè)備。預(yù)計(jì)出售程序?qū)⒂诿髂暾介_(kāi)始，銷(xiāo)售的設(shè)備大部分是100級(jí)3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái)，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線(xiàn)圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
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TrendForce：預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買(mǎi)家的終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不如預(yù)期，采購(gòu)策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
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三星電子開(kāi)發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車(chē)載SSD

三星電子今日宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD。三星新款A(yù)M9C1車(chē)載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車(chē)載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車(chē)載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車(chē)載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部汽車(chē)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動(dòng)駕駛汽車(chē)廠商合作，為這些企業(yè)提
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三星首款！第八代V-NAND車(chē)載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿(mǎn)足汽車(chē)半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1003的2級(jí)溫度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運(yùn)行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶(hù)可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫(xiě)速度。其中，讀取速度高達(dá)4700MB/s，寫(xiě)入速度高達(dá)1
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2024二季度NAND Flash出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD推動(dòng)營(yíng)收季增14%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，由于Server（服務(wù)器）終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲，但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了15%，總營(yíng)收達(dá)167.96億美元，較前一季增長(zhǎng)了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿(mǎn)足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場(chǎng)表現(xiàn)不佳，
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶(hù)對(duì)
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消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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存儲(chǔ)亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破

人工智能（AI）市場(chǎng)持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢(xún)四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論，廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外，大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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