美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%

IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點技術，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。

美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。

這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。

全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供 4,800 MT/s 至 7,200 MT/s 的模塊密度，滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端應用的需求。

美光核心計算設計工程集團公司副總裁 Brian Callaway 強調(diào)了這一發(fā)展的重要性，他表示：“面向客戶端和數(shù)據(jù)中心平臺的 1β DDR5 DRAM 的大批量生產(chǎn)和可用性標志著行業(yè)的一個重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和客戶的合作將推動這些高性能內(nèi)存產(chǎn)品的更快普及。”

美光的 1β 技術支持多種基于內(nèi)存的解決方案組合，包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7，16Gb DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品將通過直銷和渠道合作伙伴方式銷售。

IT之家此前報道稱，行業(yè)分析機構 TechInsights 拆解 iPhone 15 Pro 之后，發(fā)現(xiàn)內(nèi)部使用了美光最新超高密度 D1β（D1b）LPDDR5 16 Gb DRAM 芯片，這是業(yè)內(nèi)首次涉足 D1β。