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備貨熱潮提前到 內(nèi)存廠Q2有望價(jià)量齊揚(yáng)

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在美國對(duì)等關(guān)稅政策反復(fù)變動(dòng)下,提前出現(xiàn)備貨熱潮。 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查,美方雖釋出90天寬限期,卻已實(shí)質(zhì)改變內(nèi)存供需方的作策略,買賣雙方急于在寬限期內(nèi)完成交易、生產(chǎn)出貨,預(yù)期將推升第二季市場交易熱度,DRAM、NAND Flash價(jià)格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出,盡管關(guān)稅寬限期暫時(shí)緩解市場對(duì)需求下滑的疑慮,品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態(tài),拉貨力道顯著升溫,積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位,進(jìn)而帶動(dòng)供應(yīng)鏈產(chǎn)能,尤其以
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美光、SK海力士跟隨中!三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%:客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道稱,三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來,“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲,預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示:去年全年供應(yīng)過剩,但隨著主要公司開始減產(chǎn),供應(yīng)量最近有所下降,目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外,人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn),由于工業(yè)自動(dòng)化,對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示,
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AI和數(shù)據(jù)中心需求激增,美光確認(rèn)內(nèi)存價(jià)格上漲

  • 美光已確認(rèn)其提高內(nèi)存價(jià)格的計(jì)劃,理由是未來幾年對(duì) DRAM 和 NAND 閃存的需求強(qiáng)勁。該公司的最新公告表明,隨著供應(yīng)限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本,價(jià)格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價(jià)格上漲之際,內(nèi)存市場正從供應(yīng)過剩和收入下降的時(shí)期反彈。在過去的一年里,由于主要供應(yīng)商的減產(chǎn)以及對(duì)高性能計(jì)算和 AI 工作負(fù)載的需求增加,DRAM 和 NAND 閃存的價(jià)格穩(wěn)步回升。隨著美光確認(rèn)有意提高價(jià)格,三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預(yù)計(jì)將效仿,進(jìn)一步鞏固價(jià)格上漲趨勢(shì)。
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帶你探索面向AI邊緣應(yīng)用的創(chuàng)新內(nèi)存解決方案與設(shè)計(jì)

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書,探討內(nèi)存在AI邊緣應(yīng)用中的重要性,以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素。Micron是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的行業(yè)知名企業(yè),在邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接和移動(dòng)等關(guān)鍵市場領(lǐng)域,為AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和自動(dòng)駕駛汽車的發(fā)展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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下一代HBM4、HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB!中國已追到HBM2

  • 3月21日消息,NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器,不但規(guī)格、性能越來越強(qiáng),HBM內(nèi)存也是同步升級(jí),容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進(jìn)。其中,基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布,繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存;明年下半年的Vera Rubin NVL144升級(jí)為下一代HBM4內(nèi)存;后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級(jí)為加強(qiáng)版HBM4E內(nèi)存;而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存。與此同時(shí),SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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Intel傲騰死了 中國非易失性存儲(chǔ)重大突破!容量128Gb

  • 2月24日消息,Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲(chǔ)業(yè)務(wù),與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā),但是來自中國的新存科技,卻在非易失性存儲(chǔ)方面取得了重大突破,無論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年7月成立于武漢,是一家專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè),主要產(chǎn)品包括阻變存儲(chǔ)、相變存儲(chǔ)、鐵電存儲(chǔ)、磁阻存儲(chǔ),目前員工約200人,其中約90%為研發(fā)人員,碩士及以上學(xué)歷占比77%。去年9月,新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲(chǔ)芯片“NM101”,現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲(chǔ)芯
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英偉達(dá)被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存:694 個(gè) I/O 端口突破 AI 計(jì)算瓶頸

  • 2 月 18 日消息,科技媒體 WccFTech 昨日(2 月 17 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱英偉達(dá)正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊,主要用于 Project DIGITS 等個(gè)人 AI 超級(jí)計(jì)算機(jī),可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧,而且功耗更低,性能更強(qiáng),有望成為內(nèi)存市場的新增長點(diǎn)。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進(jìn)行 SOCAMM 原型機(jī)的性能測試,預(yù)計(jì)最快將于今年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹,SOCAMM 擁有最多 694 個(gè) I/O 端口,遠(yuǎn)超 PC DRAM 和
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新一代HBM來了!NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM:可拆卸升級(jí) 成人中指大小

  • 2月17日消息,據(jù)BK最新報(bào)道,NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判,合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM,并推動(dòng)其商業(yè)化。16日,業(yè)內(nèi)人士證實(shí)了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變,對(duì)B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉,SOCAMM被譽(yù)為新一代HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是系統(tǒng)級(jí)芯片高級(jí)內(nèi)存模塊的縮寫,這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊,可極大增強(qiáng)個(gè)人AI超級(jí)計(jì)算機(jī)的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比,SOCAMM的性
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通過 SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

  • 樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時(shí)序和其他內(nèi)存設(shè)置,在默認(rèn)的 2.4 GHz 時(shí)鐘下實(shí)現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測試超頻,這讓我在 3.2 GHz 時(shí)獲得了 32% 的速度提升!這些更改可能很快就會(huì)在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進(jìn)一步調(diào)整內(nèi)存時(shí)序,他們與美光公司進(jìn)行了溝通,并實(shí)施了一系列小的調(diào)整,這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來了性能提升。甚至對(duì)單核也有小小的改進(jìn)!SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實(shí)際上
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

  • 日前,紫光國微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露,公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線,現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作,2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解,無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目,也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線,對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報(bào)道,近日,研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分,將蝕刻速度提高了一倍,提高了精度,為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室(PPPL)的科學(xué)家通過模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道,前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示,使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存,美光成為首要供應(yīng)商

  • 三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商,而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案,這也讓外界對(duì)三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商,這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商,似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問題,三星DS(設(shè)備解決方案)部門未能按時(shí)足量向三星MX(移動(dòng)體驗(yàn))部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品,導(dǎo)致MX部門的手
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定:適應(yīng)AI計(jì)算新需求

  • 隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用,移動(dòng)產(chǎn)品對(duì)內(nèi)存性能的需求日益增長,尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運(yùn)行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)入最終的敲定期,預(yù)計(jì)到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報(bào)道稱,高通第四代驍龍8平臺(tái)將支持LPDDR6,以進(jìn)一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化?目前,LPDDR最新的主流版本是LPDDR5(6.4Gbps),于2019年2月發(fā)布。之后,業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進(jìn)版的LPDDR
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李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺的愿景:World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用,多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽,挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類別的物體和動(dòng)物。2012 年,一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng),它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型,并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛,由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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3d 內(nèi)存介紹

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