氮化鎵 文章 進(jìn)入氮化鎵技術(shù)社區(qū)

這顆國產(chǎn)器看似簡單：每個氮化鎵充電器都少不了

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

• 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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拆解報(bào)告：RAVPOWER 61W氮化鎵USB PD快充充電器RP-PC112

• 近期氮化鎵充電器市場競爭非常激烈，眾多知名品牌紛紛加入戰(zhàn)場，最近我們拿到了RAVPOWER的61W和65W兩款氮化鎵充電器。其中，RAVPOWER 61W氮化鎵充電器采用典型的方正圓角機(jī)身搭配可折疊插腳設(shè)計(jì)，非常便攜。產(chǎn)品具備齊全的電壓檔位，能夠很好的滿足手機(jī)和筆記本的快充需求。下面我們就和小伙伴分享這款充電器的拆解，看看其用料做工如何。一、RAVPOWER 61W氮化鎵充電器外觀RAVPOWER這款61W氮化鎵充電器采用圓角方正造型設(shè)計(jì)，機(jī)身正背面微微弧面凸起，再搭配上可折疊插腳，讓產(chǎn)品顯得非常小巧，攜
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第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目落戶廣西桂林

• 日前，高新區(qū)管委會與位于臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項(xiàng)目推進(jìn)會，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”。這個亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商的領(lǐng)頭羊即將把16億元的項(xiàng)目放到漓東這片熱土上。
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氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目在嘉興開工

• 近日，氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目樁基開工。這個項(xiàng)目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實(shí)施，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，可進(jìn)一步推動嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？

• 半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進(jìn)一步發(fā)展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。GaN是一種新型的半導(dǎo)體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導(dǎo)體，也是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。與碳化硅（
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氮化鎵“爆紅”，康佳全面布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

• 提起康佳這個品牌,相信很多人第一印象都會想到電視機(jī)。不過近些年由于市場競爭的家居,康佳電視的風(fēng)光程度也大不如從前。不過康佳也早有未雨綢繆,從家電行業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)半導(dǎo)體芯片市場的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開始布局芯片市場。并且成果漸顯,首款存儲芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)引發(fā)多方關(guān)注?？导讶雸鲂酒I(lǐng)域康佳集團(tuán)于1992年上市,曾是中國彩電和手機(jī)行業(yè)的龍頭公司,擁有消費(fèi)多媒體、移動通信、信息網(wǎng)絡(luò)和相關(guān)配套器件等產(chǎn)業(yè)板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業(yè)轉(zhuǎn)型為以科技創(chuàng)新驅(qū)動的投資平臺,同時(shí)成立了半導(dǎo)體科技事業(yè)部,正式進(jìn)軍芯片
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ST與TSMC攜手推動氮化鎵使用率

• 加快先進(jìn)功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市；充分利用意法半導(dǎo)體的汽車市場專業(yè)知識和臺積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù)；改進(jìn)寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用獲得更高能效。
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC

• 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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5G時(shí)代，砷化鎵依舊稱王？

• 5G時(shí)代即將來臨，有觀點(diǎn)認(rèn)為第二代砷化鎵芯片面臨被取代的命運(yùn)，甚至有許多砷化鎵廠商宣稱早已跨進(jìn)第三代...
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國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進(jìn)一步

• 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標(biāo)志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實(shí)現(xiàn)彎道超車？

• 在現(xiàn)實(shí)世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動社會發(fā)展

• 第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
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英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

• 　　英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實(shí)現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計(jì)，從而降低系統(tǒng)總成本和運(yùn)行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能

• 將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。
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