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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

瑞薩電子3.39億美元收購Transphorm

  • 1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務范圍。據(jù)悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型
  • 關鍵字： 瑞薩  氮化鎵  收購  Transphorm  

垂直GaN JFET的動態(tài)性能

  • 美國弗吉尼亞理工學院、州立大學和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進行了實驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結型場效應晶體管（JFET）器件。動態(tài)?RON描述了開關晶體管的電阻相對于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個問題可能會導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
  • 關鍵字： 氮化鎵  結型場效應晶體管  

電動汽車市場催生碳化硅新前景

  • 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  新能源汽車  汽車電子  

宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術的消費電子應用場景

  • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
  • 關鍵字： 宜普電源  CES 2024  氮化鎵  GaN  

意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值

  • 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。意法半導體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅動器、系統(tǒng)保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。這兩款新器件內(nèi)置兩個連接成半橋的Ga
  • 關鍵字： 氮化鎵  電橋芯片  st  電源設計  

中國科學院在氮化鎵 GaN 器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

  • IT之家 12 月 11 日消息，據(jù)中國科學院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導體國際會議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導體材料在光電子、能源、通信等領域具有廣泛的應用前景。隨著下游新應用的快速發(fā)展以及襯底制備技術的不斷突破，氮化物半導體功率器件實現(xiàn)了成本和效率的大幅改善，
  • 關鍵字： 氮化鎵  

德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品,可將交流/直流電源適配器體積縮小一半

  • ●? ?助力工程師開發(fā)系統(tǒng)尺寸減半且效率超過 95% 的交流/直流解決方案，從而簡化散熱設計●? ?全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構德州儀器 (TI)近日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET) 全系列產(chǎn)品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀
  • 關鍵字： 德州儀器  氮化鎵  電源適配器  

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

  • 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
  • 關鍵字： Transphorm  TOLT封裝  氮化鎵  SuperGaN  

實現(xiàn)電源芯片國產(chǎn)化替代，鈺泰半導體ACDC獲聯(lián)想、意象快充采用

  • 多年前，僅僅65W左右的筆記充電器如同磚頭一般大小，外出攜帶十分不便，但隨著隨著氮化鎵器件的全面使用，充電器的功率密度已經(jīng)翻了一倍有余，同樣65W的充電器只有之前的一半大小，很輕松就可以放入包內(nèi)攜帶。但隨著充電器集成度越來越高，對ACDC芯片的要求也愈加苛刻。為應對市場需求，鈺泰半導體潛心研發(fā)，相繼推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。鈺泰半導體ACDC芯片鈺泰半導體ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分規(guī)格如圖
  • 關鍵字： 充電器  氮化鎵  

Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
  • 關鍵字： 新能源  氮化鎵  碳化硅  

氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？

  • 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
  • 關鍵字： PI  氮化鎵  碳化硅  

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)(開關)導通電阻可
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  GaN  

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關IC

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開關技術。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關選項，包括725V硅開關、1700V碳化硅開關以及其它衍生出
  • 關鍵字： Power Integrations  1250V  氮化鎵  開關IC  

巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計

  • 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現(xiàn)更高的功率密度。然
  • 關鍵字： 電源效率  氮化鎵  GaN  電源轉換器設計  

氮化鎵爭奪戰(zhàn)火熱進行中，規(guī)模超60億元的收購案塵埃落定

  • 今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領域頭條，因為主角是多年蟬聯(lián)全球功率半導體市場占有率第一的英飛凌。幾個月過去，這場收購案迎來了結局。10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。市場競爭力再上一層樓2023年3月2日，英飛凌和G
  • 關鍵字： 氮化鎵  英飛凌  
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