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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
  • 關鍵字： GaN-on-Si  氮化鎵  

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  電源管理  

EV消除12V電池成趨勢 PI用技術引領市場

  • 家用汽車早已邁入電氣時代，現(xiàn)如今汽車上的電器設備越來越多，汽車電源系統(tǒng)除了給發(fā)動機啟動電機、燈光、電動助力轉向等部件供電用電之外，還要滿足如多媒體影音系統(tǒng)、倒車雷達、手機充電、行車記錄儀、GPS導航儀等設備的用電要求。汽車電源系統(tǒng)一般是由發(fā)電機和蓄電池共同組成。早在汽車發(fā)展初期，電氣系統(tǒng)并未引入汽車產(chǎn)品，隨后因起動機的應用普及，汽車開始裝備了蓄電池，當時的電壓標準是6V。由于各類汽車電氣化設備得到大量應用6V系統(tǒng)所能提供的功率太低，無法滿足更多的“用電需求”，車載標準電壓就從6V提升到了12V。12V電壓
  • 關鍵字： PI  工業(yè)  新能源汽車  氮化鎵  功率開關  

Power Integrations推出900V氮化鎵反激式開關IC

從消費到汽車/工業(yè)等領域，氮化鎵進一步撬動市場

  • 前10年一直在消費電子領域沖浪的氮化鎵（GaN）技術不斷創(chuàng)新發(fā)展，近兩年來逐漸在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應用等行業(yè)嶄露頭角。氮化鎵應用不斷擴充消費領域一直是原始設備制造商（OEM）采用GaN的主要驅動力，其中電力設備市場為主流市場，快速充電器為主要應用，此外還包括一些音頻設備等。借助GaN，智能手機制造商可以制造尺寸更小且性價比更高的充電器。目前市場上大多數(shù)基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業(yè)界表示這是性價比的“最佳點”。但是，隨著市場對于更高功率的需求，智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨
  • 關鍵字： 汽車  工業(yè)  氮化鎵  

氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之松下篇

  • 松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不
  • 關鍵字： 氮化鎵  松下  

Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室

  • Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室大中華區(qū)新增辦事處提升服務亞太區(qū)域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室，并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  

Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務, 擴大氮化鎵應用實驗室

  • 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當?shù)乜蛻糁С帧N售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室，并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理，他同時也擔任中國區(qū)總經(jīng)理一職。Trans
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應用

  • 未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應用中高效率低損耗的核心價值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關特性，可以高頻工作，實現(xiàn)高轉換效率，氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化，消費者易于攜帶，用戶體驗大幅度提升。在過去
  • 關鍵字： 氮化鎵  納芯微  隔離驅動器  

PI相約德國慕尼黑電子展 推出新款可編程小型電源IC

  •       德國時間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關電源IC——InnoSwitch4-Pro產(chǎn)品系列。了解PI產(chǎn)品的讀者肯定會記得，在上一代系列產(chǎn)品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業(yè)和消費類電池充電器、可調光LED鎮(zhèn)流器驅
  • 關鍵字： 德國慕尼黑電子展  開關電源IC  氮化鎵  InnoSwitch4-Pro  

SEMICON China | 探討熱點與前沿技術 ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風雨，怎么能
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  InP  

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應用實現(xiàn)靈活設計

  • 宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機驅動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領域的全球領導者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動工具和機器人的電機驅動器、用于工業(yè)應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉換器、用于充電器、適配器和電源供
  • 關鍵字： EPC  氮化鎵  高功率密度  

能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案

  • 　　前言　　最近充電頭網(wǎng)拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產(chǎn)替代政策而設計?！　≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿?，方形，給人簡約時尚感覺；其內部采用卡扣散熱設計方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡單，免除其它散熱方案所需要的生產(chǎn)夾具，降低生產(chǎn)成本，利于規(guī)?；纳a(chǎn)制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產(chǎn)品，使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高，已經(jīng)通過了環(huán)溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案?！　∧苋A65W快充外觀　　能華
  • 關鍵字： 拆解  筆電  充電器  氮化鎵  

友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度

  • NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉換器, 包括雙 VCC 架構, 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
  • 關鍵字： onsemi  電源轉換  NCP1345  氮化鎵  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  
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氮化鎵介紹

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