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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

Power Integrations推出900V氮化鎵反激式開關(guān)IC

從消費(fèi)到汽車/工業(yè)等領(lǐng)域，氮化鎵進(jìn)一步撬動(dòng)市場

  • 前10年一直在消費(fèi)電子領(lǐng)域沖浪的氮化鎵（GaN）技術(shù)不斷創(chuàng)新發(fā)展，近兩年來逐漸在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應(yīng)用等行業(yè)嶄露頭角。氮化鎵應(yīng)用不斷擴(kuò)充消費(fèi)領(lǐng)域一直是原始設(shè)備制造商（OEM）采用GaN的主要驅(qū)動(dòng)力，其中電力設(shè)備市場為主流市場，快速充電器為主要應(yīng)用，此外還包括一些音頻設(shè)備等。借助GaN，智能手機(jī)制造商可以制造尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。目前市場上大多數(shù)基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業(yè)界表示這是性價(jià)比的“最佳點(diǎn)”。但是，隨著市場對于更高功率的需求，智能手機(jī)快速充電器的目標(biāo)功率高于75的新趨
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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

  • 松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不
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Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

  • Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室大中華區(qū)新增辦事處提升服務(wù)亞太區(qū)域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
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Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù), 擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

  • 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理，他同時(shí)也擔(dān)任中國區(qū)總經(jīng)理一職。Trans
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好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛，助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用

  • 未來已來，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合，隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護(hù)，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費(fèi)者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性，可以高頻工作，實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率，氮化鎵PD快充成功實(shí)現(xiàn)了小型化和輕量化，消費(fèi)者易于攜帶，用戶體驗(yàn)大幅度提升。在過去
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PI相約德國慕尼黑電子展 推出新款可編程小型電源IC

  •       德國時(shí)間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關(guān)電源IC——InnoSwitch4-Pro產(chǎn)品系列。了解PI產(chǎn)品的讀者肯定會(huì)記得，在上一代系列產(chǎn)品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業(yè)和消費(fèi)類電池充電器、可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器驅(qū)
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SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
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EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。?EPC 是增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動(dòng)工具和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、用于工業(yè)應(yīng)用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于充電器、適配器和電源供
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能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案

  • 　　前言　　最近充電頭網(wǎng)拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產(chǎn)替代政策而設(shè)計(jì)?！　≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿?，方形，給人簡約時(shí)尚感覺；其內(nèi)部采用卡扣散熱設(shè)計(jì)方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡單，免除其它散熱方案所需要的生產(chǎn)夾具，降低生產(chǎn)成本，利于規(guī)模化的生產(chǎn)制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產(chǎn)品，使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高，已經(jīng)通過了環(huán)溫40°下的嚴(yán)苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細(xì)了解該方案?！　∧苋A65W快充外觀　　能華
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友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度

  • NCP1345是次世代高度集成的準(zhǔn)共振Flyback, 適用于設(shè)計(jì)高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進(jìn)行簡化 VCC 管理零件計(jì)數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設(shè)計(jì)輸出電壓或輸出功率如何。準(zhǔn)共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當(dāng)下降到第6
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？

  • 硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降，轉(zhuǎn)換效率高，也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應(yīng)用場景，因而在電力電子應(yīng)用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中電
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第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎

  • 半導(dǎo)體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。 安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預(yù)期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
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hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化鎵電力電子元件

  • hofer powertrain為新一代電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)。德國動(dòng)力系統(tǒng)專家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術(shù)，通過汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術(shù)D3GaN（直驅(qū)D型）實(shí)現(xiàn)新的多級電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過硅基技術(shù)的性能，最近的測試證明了它的成功。氮化鎵半導(dǎo)體是提高效率、增加電動(dòng)汽車行駛里程和壽命的關(guān)鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標(biāo)是開發(fā)基于氮化鎵的
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氮化鎵介紹

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